BAS216WT

BAS216WT BAS216WT Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2010-11-30 Power dissipation – Verlustleistung 150 mW 85 V SOD-523 0.01 g 1.2 0.7 0.12 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case – Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 1.6 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings (TA = 25°C) Power dissipation − Verlustleistung Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur tp ≤ 1 s tp ≤ 1 µs Ptot IFAV IFSM IFSM VRRM Tj TS 0.35 0.8 Grenzwerte (TA = 25°C) BAS216WT 150 mW 1) 150 mA 1) 0.5 A 2A 85 V -55...+150°C -55…+150°C Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung Characteristics (Tj = 25°C) Forward voltage 2) Durchlass-Spannung 2) IF IF IF IF Tj = 25°C Tj = 150°C Tj = 150°C = = = = 1 mA 10 mA 50 mA 150 mA VF VF VF VF IR IR IR CT trr RthA Kennwerte (Tj = 25°C) < 715 mV < 855 mV < 1.0 V < 1.25 V < 1 µA < 30 µA < 50 µA 1.5 pF < 4 ns < 620 K/W 1) Leakage current Sperrstrom VR = 75 V VR = 25 V VR = 75 V Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BAS216WT 120 [%] 100 1 [A] 10 -1 80 Tj = 125°C 60 10 -2 40 10-3 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Tj = 25°C IF 10-4 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG