BAS35

BAS31, BAS35 BAS31, BAS35 Surface Mount Small Signal Dual Diodes Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2011-10-11 Power dissipation – Verlustleistung 2.9 ±0.1 0.4 3 m ax 350 mW 120 V SOT-23 (TO-236) 0.01 g 1.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle ± 0 .1 1 2 1.9 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings (TA = 25°C) per diode / pro Diode Power dissipation – Verlustleistung 1) Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur tp ≤ 1 s tp ≤ 1 µs Ptot IFAV IFRM IFSM IFSM VRRM Tj TS 2 .5 1 .3 Type Code Grenzwerte (TA = 25°C) BAS31, BAS35 350 mW 2) 200 mA 2) 600 mA 2) 1A 2A 120 V -55...+150°C -55...+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Forward voltage ) Durchlass-Spannung 3) 3 Kennwerte (Tj = 25°C) IF IF IF IF IF Tj = 25°C Tj = 150°C = = = = = 10 mA 50 mA 100 mA 200 mA 400 mA VF VF VF VF VF IR IR < 750 mV < 840 mV < 900 mV < 1.00 V < 1.25 V < 100 nA < 100 µA Leakage current Sperrstrom VR = 90 V VR = 90 V 1 2 3 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BAS31, BAS35 Characteristics (Tj = 25°C) Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft CT trr RthA Kennwerte (Tj = 25°C) 35 pF < 50 ns < 400 K/W 1) Outline – Gehäuse 3 Pinning – Anschlussbelegung Dual diode, series connection Doppeldiode, Reihenschaltung Marking – Stempelung BAS31 = L21 1 3 2 1 = A1 2 = K2 3 = K1/A2 Dual diode, common anode Doppeldiode, gemeinsame Anode 1 2 BAS35 = L22 1 = K1 2 = K2 3 = A1/A2 120 [%] 100 10 [A] 1 80 Tj = 125°C 60 10 -1 40 10-2 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Tj = 25°C IF 10-3 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2