BAS40-AQ

BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 IFAV = 200 mA VF1 < 0.38 V Tjmax = 150°C SMD Small Signal Schottky Diodes SMD Kleinsignal-Schottky-Dioden VRRM = 40 V IFSM = 600 mA trr < 5 ns Version 2021-11-27 3 1 2 Marking Code See below 'XX' | Siehe unten 'XX' HS Code 85411000 Features Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS (w/o exemp.), REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten, Verpolschutz Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschicht-Kapazität Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS (ohne Ausn.), REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE SPICE Model & STEP File 1) Typical Applications Signal processing, High-speed switching, Polarity protection Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) EL V SOT-23 TO-236 Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.01 g Solder & assembly conditions Gewicht ca. 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 BAS40/-AQ '43' Single Diode BAS40-04 '44' Series Connection BAS40-05 /-Q '45' Common Cathode BAS40-06 '46' Common Anode Maximum ratings 1) Grenzwerte 2) Power dissipation − Verlustleistung 2) Max. average forward current – Dauergrenzstrom DC Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current – Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung Reverse voltage – Sperrspannung DC Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 1 2 3 Ptot 310 mW 3) IFAV 200 mA 4) IFRM 300 mA 4) IFSM 600 mA VRRM 40 V VR 40 V Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on PCB with 3 mm2 copper pad per each terminal − Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 mA IF = 40 mA VF < 380 mV < 1000 mV Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = 30 V IR < 200 nA 1) Breakdown voltage Abbruch-Spannung Tj = 25°C IR = 10 µA VBR > 40 V 1) CT < 5 pF trr < 5 ns Junction capacitance Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA Dimensions – Maße [mm] 400 K/W 2) 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 150 100 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) 1 Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp. ) 10 4 1 4.0 T j = 1 2 5 °C [A] [nA] 10 10 -1 [pF] 3 3.0 T j = 7 5 °C -2 10 10 2 2.0 T j = -4 0 °C T j = 2 5 °C T j = 0 °C 10-3 T j = 2 5 °C T j = 7 5 °C IF 1.0 10 IR T j = 0 °C T j = 1 2 5 °C 10 -4 0.1 VF 0.3 0.4 0.5 0.6 [V] 0.8 Typical forward characteristics Typische Kennlinien in Durchlassrichtung 1 T j = -4 0 °C CT 0 5 VR 15 20 25 30 [V] 40 Typical reverse characteristics Typische Kennlinien in Sperrrichtung 0 VR 10 20 [V] 30 40 Typical Junction Capacitance Typische Sperrschichtkapazität 2 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% − Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on PCB with 3 mm2 copper pad per each terminal − Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG