BAS40_05

BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 Surface Mount Schottky Barrier Single/Double Diodes Schottky-Barrier Einzel-/Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2005-06-21 Power dissipation – Verlustleistung 2.9 ±0.1 0.4 3 max 310 mW 40 V SOT-23 (TO-236) 0.01 g 1.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle ±0.1 1 2 1.9 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings (TA = 25°C) per diode / pro Diode Power dissipation – Verlustleistung 1) Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur tp ≤ 1 s Ptot IFAV IFRM IFSM VRRM Tj TS 2.5 1.3 Type Code Grenzwerte (TA = 25°C) BAS40-series 310 mW 2) 200 mA 2) 300 mA 2) 0.6 A 40 V -55...+150°C -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Forward voltage ) Durchlass-Spannung 3) Leakage current Sperrstrom Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 3 Kennwerte (Tj = 25°C) IF = 1 mA IF = 10 mA IF = 40 mA VR = 30 V VR = 40 V VF VF VF IR IR CT trr RthA < 380 mV < 500 mV < 1.00 V < 200 nA < 10 µA 5 pF < 5 ns < 400 K/W 2) 1 2 3 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 Pinning – Anschlussbelegung 3 Marking – Stempelung Single Diode Einzeldiode 2 BAS40 = 43 3=C 1 3 1=A 2 = n.c./frei Dual diode, series connection Doppeldiode, Reihenschaltung 2 BAS40-04 = 44 1 3 1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2 Dual diode, common cathode Doppeldiode, gemeinsame Katode 2 BAS40-05 = 45 1 3 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2 Dual diode, common anode Doppeldiode, gemeinsame Anode 2 BAS40-06 = 46 1 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 120 [%] 100 1 [A] 10-1 80 60 10-2 40 10-3 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] IF 10-4 Tj = 25°C 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG