BAS70-05E

BAS70E, BAS70-04E, BAS70-05E, BAS70-06E BAS70E, BAS70-04E, BAS70-05E, BAS70-06E IFAV = 70 mA VF1 < 0.41 V Tjmax = 125°C SMD Small Signal Schottky Diodes SMD Kleinsignal-Schottkydioden VRRM = 70 V IFSM = 100 mA trr < 5 ns Version 2018-12-10 Typical Applications Signal processing, High-speed switching, Polarity protection Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) ±0.1 ±0.05 1 1.6±0.15 0.8±0.1 3 Type Code 2 Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschicht-Kapazität Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE Features Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) 0.75 1.6±0.1 0.2 EL V SOT-523 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten, Verpolschutz Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) Mechanical Data ) Mechanische Daten 1) 1 1.0±0.1 Taped and reeled 4000 / 7“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Gegurtet auf Rolle 0.002 g Solder & assembly conditions Gewicht ca. 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 BAS70E BAS70-04E 3 Type Code 73 Single Diode 1 2 3 Type Code 74 Series Connection 1 2 1 = A 2 = n. c. 3 = C 1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2 BAS70-05E BAS70-06E 3 Type Code 75 Common Cathode 1 2 3 Type Code 76 Common Anode 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2 1 2 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation − Verlustleistung 3) Max. average forward current – Dauergrenzstrom DC Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current – Stoßstrom-Grenzwert Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 tp ≤ 1 s Ptot 150 mW 4) IFAV 70 mA 4) IFRM 70 mA 4) IFSM 100 mA VRRM 70 V Tj TS -55...+125°C -55…+150°C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS70E, BAS70-04E, BAS70-05E, BAS70-06E Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 mA IF = 15 mA VF < 410 mV < 1000 mV Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = 50 V IR < 100 nA 1) Breakdown voltage Abbruchspannung Tj = 25°C IR = 10 µA VBR > 70 V 1) CT 2 pF trr < 5 ns Max. junction capacitance Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 833 K/W 2) 120 [%] [A] 100 80 60 40 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Power dissipation versus ambient temperature 2) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2) 2 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG