BAS70_10

厂商：
DIOTEC(德欧泰克)
封装：
描述：
BAS70_10 - Surface Mount Schottky Barrier Single/Dual Diodes - Diotec Semiconductor

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BAS70 BAS70 Surface Mount Schottky Barrier Single/Dual Diodes Schottky-Barrier Einzel-/Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2010-01-18 Power dissipation – Verlustleistung 2.9 ±0.1 0.4 3 1.3±0.1 1.1 310 mW 70 V SOT-23 (TO-236) 0.01 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Type Code 1 1.9 2 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings (TA = 25°C) per diode / pro Diode Power dissipation − Verlustleistung 1) Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur tp ≤ 1 s Ptot IFAV IFRM IFSM VRRM Tj TS 2.5 max Grenzwerte (TA = 25°C) BAS70-series 310 mW 2) 200 mA 2) 300 mA 2) 600 mA 70 V -55...+150°C -55…+150°C Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung Characteristics (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom 3) Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft IF = 1 mA IF = 15 mA VR = 50 V VF VF IR CT trr RthA Kennwerte (Tj = 25°C) < 410 mV < 1000 mV < 100 nA 2 pF < 5 ns < 400 K/W 2) 1 2 3 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BAS70 Pinning – Anschlussbelegung 3 Marking – Stempelung Single diode einzelne Diode 2 BAS70 = 73 1 3 1=A 2 = n.c. 3=C Dual diode, series connection Doppeldiode, Reihenschaltung 2 BAS70-04 = 74 1 3 1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2 Dual diode, common cathode Doppeldiode, gemeinsame Kathode 2 BAS70-05 = 75 1 3 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2 Dual diode, common anode Doppeldiode, gemeinsame Anode 2 BAS70-06 = 76 1 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 120 [%] 100 1 [A] 10-1 80 10 -2 60 40 10 20 Ptot 0 1 -3 IF 10-4 Tj = 25°C 0 TA 50 100 150 [°C] 1 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2

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BAS70_10

1. 物料型号： - BAS70系列，包括单二极管和双二极管的不同配置。

2. 器件简介： - BAS70是一种表面安装肖特基势垒单/双二极管，用于在表面贴装应用中提供高效的电力整流。

3. 引脚分配： - 单二极管配置：1=A（阳极），2=n.c.（空脚），3=C（阴极）。 - 双二极管，串联连接：1=A1，2=C2，3=C1/A2。 - 双二极管，共阴极：1=A1，2=A2，3=C1/C2。 - 双二极管，共阳极：1=C1，2=C2，3=A1/A2。

4. 参数特性： - 最大功耗：310 mW。 - 最大平均正向电流（直流）：200 mA。 - 重复峰值正向电流：300 mA。 - 非重复峰值正向浪涌电流（t≤1s）：600 mA。 - 重复峰值反向电压：70V。 - 工作结温：-55°C至+150°C。 - 存储温度：-55°C至+150°C。

5. 功能详解： - 正向电压：在1mA和15mA电流下分别为<410 mV和<1000 mV。 - 漏电流：在50V反向电压下<100nA。 - 最大结电容：在0V电压和1MHz频率下为2pF。 - 反向恢复时间：在10 mA正向电流和10 mA反向电流下<5ns。 - 热阻（结到环境空气）：<400 K/W。

6. 应用信息： - 适用于需要高效电力整流的应用场合，如电源、电机驱动等。

7. 封装信息： - 采用SOT-23（TO-236）塑料封装，重量约为0.01克，塑料材料符合UL94V-0标准。 - 标准包装为胶带缠绕和卷绕形式。

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