BAT54WS-AQ

BAT54WS BAT54WS IFAV = 200 mA VF1 < 0.24 V Tjmax = 150°C SMD Small Signal Schottky Diodes SMD Kleinsignal-Schottky-Dioden VRRM = 30 V IFSM = 600 mA trr < 6 ns Version 2019-10-14 Typical Applications Signal processing, High-speed switching, Polarity protection Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) ±0.1 1.25 Type Code 2.5±0.2 Dimensions - Maße [mm] Type code = S1 Features Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschicht-Kapazität Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 0.3 ±0.1 1±0.1 1.7±0.1 EL V SOD-323F Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten, Verpolschutz Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.005 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 These diodes are available in alternative case outlines Diese Dioden sind in alternativen Gehäuseformen lieferbar SOT-23 SOT-323 = BAT54 = BAT54W Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BAT54WS/-Q/-AQ Power dissipation − Verlustleistung Max. average forward current – Dauergrenzstrom DC Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current – Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 10 ms Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Ptot 230 mW 3) IFAV 200 mA 3) IFRM 300 mA 3) IFSM 600 mA VRRM 30 V Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Characteristics Kennwerte BAT54WS/-Q/-AQ Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom 4) Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität 1 2 3 4 Tj = 25°C IF = IF = IF = IF = IF = 0.1 mA 1 mA 10 mA 30 mA 100 mA Tj = 25°C VR = 25 V VR = 0 V, f = 1 MHz VF < < < < < 240 320 400 500 800 mV mV mV mV mV IR < 2 µA CT 10 pF Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAT54WS Characteristics Kennwerte Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung trr < 6 ns RthA 400 K/W 3) 1 120 [%] [A] 100 10-1 80 -2 10 60 40 10-3 20 IF Ptot 0 0 TA 100 50 150 10-4 [°C] Tj = 25°C 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 10 3 [µA] Tj = 125°C 10 2 Tj = 100°C 10 Tj = 75°C Tj = 50°C 1 Tj = 25°C IR 10-1 0 VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 1 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG