BAV18_11

BAV18 ... BAV21 BAV18 ... BAV21 Superfast Switching Si-Planar Diodes Superschnelle Si-Planar-Dioden Version 2011-10-17 Max. power dissipation Max. Verlustleistung Ø 1.9 500 mW 50...200 V DO-35 (SOD-27) 0.13 g BAV100...BAV102 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Glass case Glasgehäuse Weight approx. Gewicht ca. 62.5 3.9 Ø 0.52 Equivalent SMD-version Äquvalente SMD-Ausführung Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings (TA =25°C) Type Typ BAV19 BAV20 BAV21 Max. power dissipation Max. Verlustleistung Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, t ≤ 1 s Stoßstrom, t ≤ 1 s Peak forward surge current, t ≤ 1 µs Stoßstrom, t ≤ 1 µs Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 100 150 200 TA = 25°C TA = 25°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C Ptot IFAV IFRM IFSM IFSM Tj TS Grenzwerte (TA =25°C) Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1) 120 200 250 500 mW 2) 250 mA 2) 650 mA 2) 1A 5A -50...+200°C -50...+200°C 1 2 Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BAV18 ... BAV21 Characteristics Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzug Tj = 25°C Tj = 25°C Tj = 100°C IF = 0.1 A VR = VRRM VR = VRRM VF IR IR trr RthA Kennwerte < 1.0 V < 100 nA < 15 µA < 50 ns < 300 K/W 1) IF = 30 mA through/über IR = 30 mA to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 120 [%] 100 10 [A] 1 80 Tj = 125°C 60 10 -1 40 10-2 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Tj = 25°C IF 10-3 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2