BAV70W

BAV70W BAV70W Surface Mount Small Signal Double-Diodes Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2005-9-28 2 0.3 ±0.1 1±0.1 1.25±0.1 ±0.1 Power dissipation Verlustleistung Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 200 mW 70 V SOT-323 0.01 g 3 1 2 1.3 Dimensions - Maße [mm] 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2 Maximum ratings (TA = 25°C) Power dissipation − Verlustleistung ) 1 2.1 Type Code Grenzwerte (TA = 25°C) per diode / pro Diode Ptot IFAV IFRM tp ≤ 1 s tp ≤ 1 ms tp ≤ 1 µs IFSM IFSM IFSM VRRM Tj TS BAV70W 200 mW 2) 200 mA 2) 300 mA 2) 0.5 A 1A 2A 70 V 150°C - 55…+ 150°C Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Max. operating junction temperature – Max. Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung IF = 1 mA IF = 10 mA IF = 50 mA IF = 150 mA VR = 70 V VR = 25 V VR = 70 V Tj = 25°C Tj = 150°C VF VF VF VF IR IR IR Kennwerte (Tj = 25°C) < 715 mV < 855 mV < 1.0 V < 1.25 V < 5 µA < 60 µA < 100 µA Leakage current 3) Sperrstrom 1 2 3 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BAV70W Characteristics (Tj = 25°C) Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft CT trr RthA Kennwerte (Tj = 25°C) 1.5 pF < 6 ns < 620 K/W 1) Outline – Gehäuse 3 Pinning – Anschlussbelegung Double diode, common cathode Doppeldiode, gemeins. Kathode Marking – Stempelung 1 2 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2 BAV70W = A4 or /oder = KJA 120 [%] 100 10 [A] 1 80 Tj = 125°C 60 10-1 40 10 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 -2 Tj = 25°C IF 10-3 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Rated forward current versus ambient temperature ) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2