BAV70W_09

BAV70W BAV70W Surface Mount Small Signal Dual Diodes Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2009-09-28 2 0.3 ±0.1 1±0.1 1 .2 5 ± 0 . 1 ± 0. 1 Power dissipation Verlustleistung Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 200 mW 75 V SOT-323 0.01 g 3 1 2 1.3 Dimensions - Maße [mm] 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2 Maximum ratings (TA = 25°C) Power dissipation − Verlustleistung ) Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Max. operating junction temperature – Max. Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur tp ≤ 1 s tp ≤ 1 ms tp ≤ 1 µs 1 2 .1 Type Code Grenzwerte (TA = 25°C) per diode / pro Diode Ptot IFAV IFAV IFRM IFSM IFSM IFSM VRRM Tj TS BAV70W 200 mW 1) 175 mA 2) 100mA 1) 2) 300 mA 2) 0.5 A 1A 2A 75 V 150°C - 55…+ 150°C Characteristics (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung IF = 1 mA IF = 10 mA IF = 50 mA IF = 150 mA VR = 75 V VR = 25 V VR = 75 V Tj = 25°C Tj = 150°C VF VF VF VF IR IR IR Kennwerte (Tj = 25°C) < 715 mV < 855 mV < 1.0 V < 1.25 V < 5 µA < 60 µA < 100 µA Leakage current 3) Sperrstrom 1 2 3 Both diodes loaded − Beide Dioden belastet Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BAV70W Characteristics (Tj = 25°C) Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft CT trr RthA Kennwerte (Tj = 25°C) 2 pF < 4 ns < 625 K/W 1) Outline – Gehäuse 3 Pinning – Anschlussbelegung Double diode, common cathode Doppeldiode, gemeins. Kathode Marking – Stempelung 1 2 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2 BAV70W = A4 or /oder = KJA or /oder = PH 120 [%] 100 10 [A] 1 80 Tj = 125°C 60 10-1 40 10-2 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Tj = 25°C IF 10-3 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2