BAW56

BAW56 BAW56 Surface Mount Small Signal Double-Diodes Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-07-11 Power dissipation – Verlustleistung 2.9 ±0.1 0.4 3 1.3±0.1 1.1 310 mW 85 V SOT-23 (TO-236) 0.01 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Type Code 1 1.9 2 Dimensions - Maße [mm] 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 Maximum ratings (TA = 25°C) per diode / pro Diode Power dissipation − Verlustleistung 1) Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s tp ≤ 1 ms tp ≤ 1 µs Ptot IFAV IFRM IFSM IFSM IFSM VRRM VR Tj TS 2.5 max Grenzwerte (TA = 25°C) BAW56 310 mW 2) 250 mA 2) 450 mA 2) 0.5 A 1A 2A 85 V 70 V -55...+150°C -55…+150°C Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung Reverse voltage – Sperrspannung (dc) Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung IF IF IF IF Tj = 25°C Tj = 150°C Tj = 150°C = 1 mA = 10 mA = 50 mA = 150 mA VF VF VF VF IR IR IR Kennwerte (Tj = 25°C) < 715 mV < 855 mV < 1.0 V < 1.25 V < 100 nA < 30 µA < 50 µA Leakage current 3) Sperrstrom VR = 70 V VR = 25 V VR = 70 V 1 2 3 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BAW56 Characteristics (Tj = 25°C) Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft CT trr RthA Kennwerte (Tj = 25°C) 1.5 pF < 6 ns < 400 K/W 1) Pinning – Anschlussbelegung 3 Marking – Stempelung Double diode, common anode Doppeldiode, gemeinsame Anode 2 BAW56 = A1 or/oder JD 1 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 Other available configurations – Andere lieferbare Konfigurationen Single diode – einzelne Diode Double diode, series connection – Doppeldiode, Reihenschaltung Double diode, common cathode – Doppeldiode, gemeinsame Kathode BAL99 BAV99 BAV70 120 [%] 100 1 [A] 10 -1 80 Tj = 125°C 60 10 -2 40 10-3 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] IF 10-4 Tj = 25°C 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2