BAW56W

BAW56W BAW56W Fast Switching Surface Mount Si-Planar Double Diodes Schnelle Si-Planar Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-03-29 Power dissipation Verlustleistung 2 0.3 ±0.1 200 mW 75 V SOT-323 0.01 g 1±0.1 1.25±0.1 ±0.1 3 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 1 2 1.3 Dimensions - Maße [mm] 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 Maximum ratings (TA = 25°C) Power dissipation – Verlustleistung ) 1 2.1 Type Code Grenzwerte (TA = 25°C) per diode / pro Diode Ptot IFAV IFRM tp ≤ 1 s tp ≤ 1 ms tp ≤ 1 µs IFSM IFSM IFSM BAW56 200 mW 2) 150 mA 2) 450 mA 2) 0.5 A 1A 2A 75 V -55…+150°C -55…+150°C Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur VRRM Tj TS Characteristics (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung IF IF IF IF Tj = 25°C Tj = 150°C = = = = 1 mA 10 mA 50 mA 150 mA VF VF VF VF IR IR IR Kennwerte (Tj = 25°C) < 715 mV < 855 mV < 1.00 V < 1.25 V < 2.5 µA < 30 µA < 50 µA Leakage current 3) Sperrstrom VR = VRRM VR = 25 V VR = VRRM 1 2 3 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BAW56W Characteristics (Tj = 25°C) Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft CT trr RthA Kennwerte (Tj = 25°C) 2 pF < 4 ns < 620 K/W 1) Outline – Gehäuse 3 Pinning – Anschlussbelegung Dual diode, common anode Doppeldiode, gemeinsame Anode Marking – Stempelung BAW56W = KJC 1 2 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 120 [%] 100 1 [A] 10-1 80 Tj = 125°C 60 10-2 40 10 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] -3 Tj = 25°C IF 10-4 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2