BC338-40

BC337 ... BC338 BC337 ... BC338 IC = 800 mA hFE = 160/250/400 Tjmax = 150°C General Purpose NPN Transistors Universal-NPN-Transistoren VCEO = 25...45 V Ptot = 625 mW Version 2017-02-09 (1) 18 9 16 C BE Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 2 x 2.54 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) EL V TO-92 (10D3) 1 Mechanische Daten 1) Mechanical Data ) ±0.1 (2) CBE min 12.5 4.6±0.1 4.6 2 x 1.27 (1) Taped in ammo pack (Raster 2.54) (2) On request: in bulk (Raster 1.27, suffix “BK”) 4000 (1) Gegurtet in Ammo-Pack (Raster 2.54) (2) Auf Anfrage: Schüttgut (Raster 1.27, Suffix “BK”) 5000 Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Dimensions - Maße [mm] Current gain groups Stromverstärkungsgruppen BC337-16 BC337-25 BC337-40 Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren BC338-16 BC338-25 BC338-40 BC327 ... BC328 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BC337 BC338 Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short VCES 50 V 30 V Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 45 V 25 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 5V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 3) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 800 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 1A Base current – Basisstrom IB 100 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC337 ... BC338 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 1 V, IC = 100 mA Group -16 Group -25 Group -40 hFE 100 160 250 160 250 400 250 400 630 VCE = 1 V, IC = 300 mA Group -16 Group -25 Group -40 hFE 60 100 170 130 200 320 – – – VCEsat – – 0.7 V VBE – – 1.2 V Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 1) IC = 500 mA, IB = 50 mA Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 1) VCE = 1 V, IC = 300 mA, Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Emitter-Reststrom VCE = 45 V VCE = 25 V VCE = 45 V VCE = 25 V Tj = 125°C B-E short BC337 BC338 ICES – – 2 nA 2 nA 100 nA 100 nA B-E short BC337 BC338 ICES – – – – 10 µA 10 µA fT – 100 MHz – CCBO – 12 pF – Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 50 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 200 K/W 2) 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG