BC672S

BC672S BC672S IC = 50 mA hFE = 100...200 Tjmax = 150°C SMD General Purpose NPN Transistors SMD Universal-NPN-Transistoren VCEO = 18 V Ptot = 150 mW Version 2020-07-10 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) 2 ±0.1 2 x 0.65 5 2 2.1 3 Features Two transistors in one package General Purpose Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Zwei Transistoren in einem Gehäuse Universell anwendbar Konform zu RoHS, REACH, Pb Konfliktmineralien 1 RoHS EE WE Type Code 1 1.25±0.1 4 ±0.1 6 0.9±0.1 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) EL V SOT-363 Mechanical Data 1) 2.4 Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 6 Dual Transistors T1 1 = E1 2 = B1 6 = C1 5 T2 3 = B2 4 = C2 5 = E2 T2 T1 1 Type Code 4 2 BC672S XN 3 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BC672S Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 18 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 30 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 3V Ptot 150 mW 3) IC 50 mA TS Tj -55...+150°C -55...+150°C Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom DC Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C and per transistor, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Transistor, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC672S Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. hFE 100 – 200 VCEsat – – 500 mV 30 V – – V(BR)CEO 18 V – – V(BR)BEO 3V – – ICBO – – 500 nA IEBO – – 500 nA fT 600 MHz – – CCBO – – 1.6 pF DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 10 V IC = 10 mA Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ) 1 IC = 20 mA IB = 4 mA Collector-Base breakdown voltage – Kollektor-Basis Durchbruchspannung 1) IC = 10 µA, E open V(BR)CBO Collector-Emitter breakdown voltage – Kollektor-Emitter Durchbruchspannung ) 1 IC = 1 mA, B open 1 Base-Emitter breakdown voltage – Basis-Emitter Durchbruchspannung ) IE = 10 µA, C open Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 10 V E open Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom VEB = 2 V C open Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 10 V, IC = 10 mA, f = 200 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Typical thermal resistance junction to ambient (per device) Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil) RthA 420 K/W 2) 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 2) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG