BC807-25W

BC807W ... BC808W BC807W ... BC808W IC = -500 mA VCES = -30 ...-50 V hFE ~ 160/250/400 Ptot = 200 mW Tjmax = 150°C SMD General Purpose PNP Transistors SMD Universal-PNP-Transistoren Version 2021-07-05 Typical Applications Signal processing Switching Amplification Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) 3 1 2 Typische Anwendungen Signalverarbeitung Schalten Verstärken Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS (w/o exemp.), REACH, Conflict Minerals 1) SPICE Model & STEP File 1) RoHS EE WE Pb EL V SOT-323 Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS (ohne Ausn.), REACH, Konfliktmineralien 1 Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Marking Code See below | Siehe unten HS Code 85412100 0.01 g = = = = Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type & Marking Code BC807-16W BC807-25W BC807-40W BC807-40W-AQ Gegurtet auf Rolle 5A or 5CR 5B or 5CS 5C or 5CT 5CT Complementary NPN transistors Komplementäre NPN-Transistoren BC808-16W = 5E or 5CR BC808-25W = 5F or 5CS BC808-40W = 5G or 5CT BC817W BC818W Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BC807 BC808 Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short - VCES 50 V 30 V Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open - VCEO 45 V 25 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open - VEBO 5V Ptot 200 mW 3) - IC 500 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - ICM 1A Peak Base current – Basis-Spitzenstrom - IBM 200 mA Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom DC Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC807W ... BC808W Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. hFE 100 160 250 – – – 250 400 600 hFE 40 – – - VCEsat – – 0.7 V - VBE – – 1.2 V - ICBO – – – – 100 nA 5 µA - IEBO – – 100 nA fT 80 MHz – – CCBO – – 12 pF 1 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) Group -16 Group -25 Group -40 - VCE = 1 V, - IC = 100 mA - VCE = 1 V, - IC = 500 mA 2 Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ) - IC = 500 mA, - IB = 50 mA Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung ) 2 - VCE = 1 V, - IC = 500 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom - VCB = 20 V, (E open) - VCB = 20 V, Tj = 125°C, (E open) Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom - VEB = 4 V, (C open) Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz - VCE = 5 V, - IC = 10 mA, f = 50 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität - VCB = 10 V, - IE =ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 625 K/W 2) Dimensions - Maße [mm] 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG