BC808-25

BC807 ... BC808 BC807 ... BC808 IC = -800 mA VCES = -30 ...-50 V hFE ~ 160/250/400 Ptot = 310 mW Tjmax = 150°C SMD General Purpose PNP Transistors SMD Universal-PNP-Transistoren Version 2021-12-10 Typical Applications Signal processing Switching Amplification Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) 3 1 2 RoHS Pb EE WE SPICE Model & STEP File 1) Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS (w/o exemp.), REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Signalverarbeitung Schalten Verstärken Standardausführung 1) Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifizierung 1) EL V SOT-23 TO-236 Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS (ohne Ausn.), REACH, Konfliktmineralien 1 Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Marking Code See below | Siehe unten 0.01 g UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type & Marking Code = = = = = = Gewicht ca. Case material HS Code 85412100 BC807-16 BC807-16/-AQ BC807-25/-Q BC807-25-AQ BC807-40/-Q BC807-40-AQ Gegurtet auf Rolle 5A or 5CR 5CR 5B or 5CS 5CS 5C or 5CT 5CT BC808-16 BC808-25 BC808-40 Complementary NPN transistors Komplementäre NPN-Transistoren = 5E or 5CR = 5F or 5CS = 5G or 5CT BC817 BC818 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BC807 BC808 Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short - VCES 50 V 30 V Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open - VCEO 45 V 25 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open - VEBO 5V Ptot 310 mW 3) - IC 800 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - ICM 1A Peak Base current – Basis-Spitzenstrom - IBM 200 mA Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom DC Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on PCB with 3 mm2 copper pad per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC807 ... BC808 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. hFE 100 160 250 – – – 250 400 630 hFE 40 – – - VCEsat – – 0.7 V - VBEsat – – 1.3 V - VBE – – 1.2 V - ICB0 – – – – 100 nA 5 µA - IEB0 – – 100 nA fT – 100 MHz – CCBO – 12 pF – 1 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) Group -16 Group -25 Group -40 - VCE = 1 V, - IC = 100 mA - VCE = 1 V, - IC = 500 mA 2 Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ) - IC = 500 mA, - IB = 50 mA Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung ) 2 - IC = 500 mA, - IB = 50 mA Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 2) - VCE = 1 V, - IC = 500 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom - VCB = 20 V, (E open) - VCB = 20 V, Tj = 125°C, (E open) Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom - VEB = 4 V, (C open) Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz - VCE = 5 V, - IC = 10 mA, f = 50 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität - VCB = 10 V, - IE =ie = 0, f = 1 MHz Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 420 K/W 2) Dimensions - Maße [mm] 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on PCB with 3 mm2 copper pad per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG BC807 ... BC808 120 100 [%] [pF] 100 f = 1 .0 M Hz 80 80 60 60 40 40 XY = E B 20 20 Ptot CXY 0 0 0 TA 100 50 150 XY = CB 0 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) -VXY 5 [V] 10 15 Typical capacitances versus voltage Typische Kapazitäten in Abh. der Spannung 103 103 V CE = -1V V CE = -1V T j = 150°C T j = 150°C Tj = 25°C Tj = 25°C 10 2 102 T j = -55°C T j = -55°C h FE 10 h FE 10-4 -IC 10-3 -2 10 -1 10 [A] 1 10 10-4 Typical DC current gain versus collector current (-16) Typisches Kollektor-Basis Stromverhältnis in Abhängigkeit vom Kollektorstrom (-16) 103 100 V CE = -1V T j = 150°C T j = -55°C 10-2 -1 10 [A] 1 D = 0.5 D = 0.1 10 2 h FE 10 10-3 [%] Tj = 25°C 10 -IC Typical DC current gain versus collector current (-25) Typisches Kollektor-Basis Stromverhältnis in Abhängigkeit vom Kollektorstrom (-25) Z thA RthA 10-4 -IC 10-3 -2 10 -1 10 [A] Typical DC current gain versus collector current (-40) Typisches Kollektor-Basis Stromverhältnis in Abhängigkeit vom Kollektorstrom (-40) 1 D = 0.01 D -> 0 1 0.01 [ms] 0.1 1 10 10 2 [t p] Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical) Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch) 10 3 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3