BC817-40W

BC817W ... BC818W BC817W ... BC818W IC = 500 mA hFE ~ 180/290/520 Tjmax = 150°C SMD General Purpose NPN Transistors SMD Universal-NPN-Transistoren VCES = 30...50 V Ptot = 200 mW Version 2018-09-07 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) 2 ±0.1 0.3 1±0.1 3 1 Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) 1.25±0.1 ±0.1 2.1 Type Code 2 RoHS Pb EE WE 1.3 Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1 EL V SOT-323 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) Mechanical Data 1) 1=B 2=E Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3=C 3000 / 7“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type Code BC817-16W = 6A or 6CR BC817-25W = 6B or 6CS BC817-40W = 6C or 6CT Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren BC818-16W = 6E or 6CR BC818-25W = 6F or 6CS BC818-40W = 6G or 6CT BC807W, BC808W Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BC817W BC818W Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short VCES 50 V 30 V Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 45 V 25 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 5V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 200 mW 3) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 500 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC817W ... BC818W Characteristics 2) Kennwerte 2) Tj = 25°C Min. Typ. Max. hFE 100 160 250 – – – 250 400 600 hFE 40 – – VCEsat – – 0.7 V VBE – – 1.2 V ICBO – – 100 nA IEBO – – 100 nA fT 100 MHz – – CCBO – – 5 pF 1 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) VCE = 1 V, IC = 100 mA Group -16 Group -25 Group -40 VCE = 1 V, IC = 500 mA 4 Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ) IC = 500 mA, IB = 50 mA Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung ) 1 VCE = 1 V, IC = 500 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 20 V, (E open) Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom VEB = 5 V, (C open) Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 625 K/W .2) 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG