BC817K-25

BC817K BC817K IC = 500 mA hFE ~ 160/250/400 Tjmax = 150°C SMD General Purpose NPN Transistors SMD Universal-NPN-Transistoren VCEO = 45 V Ptot = 500 mW Version 2021-09-27 3 1 2 SPICE Model & STEP File ) Typische Anwendungen Signalverarbeitung Schalten Verstärken Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) Features K = Low thermal resistance Three current gain groups Compliant to RoHS (w/o exemp.), REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten K = Niedriger thermischer Widerstand Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS (ohne Ausn.), Pb REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS EE WE 1 Typical Applications Signal processing Switching Amplification Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) EL V SOT-23 TO-236 Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Marking Code See below | Siehe unten Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen HS Code 85412100 MSL = 1 Type & Marking Code Complementary PNP transistors Komplementäre PNP-Transistoren BC817K-16 = 6A or 6CR BC817K-25 = 6B or 6CS BC817K-40 = 6C or 6CT – Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BC817 Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 50 V Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 45 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 5V Power dissipation – Verlustleistung Tsp ≤ 115°C Ptot 500 mW 3) Collector current – Kollektorstrom DC IC 500 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 1A Base current – Basisstrom IB 100 mA Peak Base current – Basis-Spitzenstrom IBM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS +150°C -55…+150°C 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC817K Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. hFE 100 160 250 – – – 250 400 630 hFE 40 – – VCEsat – – 0.7 V VBEsat – – 1.2 V ICB0 – – 100 nA IEB0 – – 100 nA fT – 170 MHz – CCBO – 3 pF – 1 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) Group -16 Group -25 Group -40 VCE = 1 V, IC = 100 mA VCE = 1 V, IC = 500 mA 2 Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ) IC = 500 mA, IB = 50 mA Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung ) 2 IC = 500 mA, IB = 50 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 25 V, (E open) Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom VEB = 4 V, (C open) Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 5 V, IC = 50 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Typical thermal resistance junction to soldering point Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Lötpunkt 1 2 2 Rthsp 70 K/W 2) Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG BC817K Dimensions - Maße [mm] 3 10 103 h FE = 1 0 G ro u p -4 0 [mA] 2 10 G ro u p -1 6 102 10 h FE Tj = 25°C Tj = 100°C 10 1 10-4 IC IC 10 -3 10 -2 [A] 10 -1 1 DC current gain versus collector current Kolllektor-Basis Stromverhältnis in Abhängigkeit vom Kollektorstrom T j = 2 5 °C -1 10 0 VCEsat 0.2 0.4 [V] 0.7 Typical Collector-Emitter saturation voltage Typ. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung 500 [mA] 400 h F E = 10 [V] 300 0.2 200 0.1 100 IC VCE(sat) V CE = 1V 0 0 1 IC 10 [mA] 10 2 10 Typ. Collector-Emitter Saturation Voltage Typ. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung 3 0.5 VBE 0.6 0.7 0.8 0.9 [V] 1.0 Collector current vs. emitter voltage (typ.) Kollektorstrom im Verhältnis zur Emitter Spannung (typ.) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3