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BC818-25

BC818-25

  • 厂商:

    DIOTEC(德欧泰克)

  • 封装:

    SOT-23

  • 描述:

    BJT SOT-23 25V 800MA

  • 数据手册
  • 价格&库存
BC818-25 数据手册
BC817 ... BC818 BC817 ... BC818 IC = 800 mA hFE ~ 160/250/400 Tjmax = 150°C SMD General Purpose NPN Transistors SMD Universal-NPN-Transistoren VCES = 30...50 V Ptot = 310 mW Version 2021-11-16 Typical Applications Signal processing Switching Amplification Commercial / industrial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1) 3 1 2 Typische Anwendungen Signalverarbeitung Schalten Verstärken Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1) Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS (w/o exemp.), REACH, Conflict Minerals 1) SPICE Model & STEP File ) RoHS Pb EE WE 1 EL V SOT-23 TO-236 Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS (ohne Ausn.), REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Marking Code See below | Siehe unten 0.01 g UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type & Marking Code = = = = = Gewicht ca. Case material HS Code 85412100 BC817-16/-Q BC817-25/-Q BC817-25-AQ BC817-40/-Q BC817-40-AQ Gegurtet auf Rolle 6A or 6CR 6B or 6CS 6CS 6C or 6CT 6CT BC818-16 BC818-25 BC818-40 Complementary PNP transistors Komplementäre PNP-Transistoren = 6E or 6CR = 6F or 6CS = 6G or 6CT BC807 BC808 Maximum ratings 1) Grenzwerte 2) BC817 BC818 Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short VCES 50 V 30 V Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 45 V 25 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 5V Ptot 310 mW 2) IC 800 mA ICM 1A - IEM 1A Peak Base current – Basis-Spitzenstrom IBM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom DC Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom 1 1 2 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC817 ... BC818 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. hFE 100 160 250 – – – 250 400 630 hFE 40 – – VCEsat – – 0.7 V VBEsat – – 1.3 V VBE – – 1.2 V ICB0 – – – – 100 nA 5 µA IEB0 – – 100 nA fT – 100 MHz – CCBO – 12 pF – 1 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) Group -16 Group -25 Group -40 VCE = 1 V, IC = 100 mA VCE = 1 V, IC = 500 mA 2 Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ) IC = 500 mA, IB = 50 mA Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung ) 2 IC = 500 mA, IB = 50 mA Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 2) VCE = 1 V, IC = 500 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 20 V, (E open) VCB = 20 V, Tj = 125°C, (E open) Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom VEB = 4 V, (C open) Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 50 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 420 K/W 2) Dimensions - Maße [mm] 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
BC818-25 价格&库存

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BC818-25
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  • 100+0.17965100+0.02159
  • 500+0.13450500+0.01616
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    • 975+0.24733
    • 2250+0.23408

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    •  国内价格
    • 25+0.26208
    • 100+0.16661
    • 500+0.12517
    • 1000+0.10840
    • 2700+0.10241

    库存:2975