BC847AW

BC846AW ... BC849CW BC846AW ... BC849CW IC = 100 mA hFE ~ 180/290/520 Tjmax = 150°C SMD General Purpose NPN Transistors SMD Universal-NPN-Transistoren VCEO = 30...65 V Ptot = 200 mW Version 2021-07-05 Typical Applications Signal processing Switching Amplification Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) 3 1 2 Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS (w/o exemp.), REACH, Conflict Minerals 1) SPICE Model & STEP File 1) Typische Anwendungen Signalverarbeitung Schalten Verstärken Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) RoHS EE WE Pb EL V SOT-323 Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS (ohne Ausn.), REACH, Konfliktmineralien 1 Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Marking Code See below | Siehe unten HS Code 85411000 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type & Marking Code BC846AW = 1A BC847AW/-Q = 1E BC848AW = 1J Gegurtet auf Rolle BC846BW/-AQ BC847BW/-Q/-AQ BC848BW BC849BW = = = = 1B 1F 1K 2B Complementary NPN transistors Komplementäre NPN-Transistoren BC847CW/-Q/-AQ = 1G BC848CW = 1L BC849CW = 2C BC856xW ... BC859xW Maximum ratings 1) Grenzwerte 2) BC846W/ -AQ BC847W/ BC848W -Q/-AQ BC849W Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 65 V 45 V 30 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 80 V 50 V 30 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO Power dissipation – Verlustleistung 6V 5V Ptot 200 mW 2) IC 100 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 200 mA Peak Base current – Basis-Spitzenstrom IBM 200 mA - IEM 200 mA Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Collector current – Kollektorstrom DC Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 1 2 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC846AW ... BC849CW Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. – – – 90 150 270 – – – 110 200 420 180 290 520 220 450 800 VCEsat – – 90 mV 200 mV 250 mV 600 mV VBE 580 mV – 660 mV – 700 mV 820 mV ICBO – – – – 15 nA 5 µA IEBO – – 100 nA fT 100 MHz – – CCBO – 3.5 pF 6 pF CEBO – 9 pF – F – – 2 dB 1.2 dB 10 dB 4 dB DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 5 V IC = 10 µA Group A Group B Group C IC = 2 mA Group A Group B Group C hFE Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 3) IC = 10 mA IC = 100 mA IB = 0.5 mA IB = 5 mA Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 1) VCE = 5 V IC = 2 mA IC = 10 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 30 V E open E open Tj = 125°C Emitter-Base cutoff current VEB = 5 V C open Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität VEB = 0.5 V, IC = ic = 0, f = 1 MHz Noise figure – Rauschzahl VCE = 5 V, IC = 200 µA, RG = 2 kΩ f = 1 kHz, Δf = 200 Hz BC846W ... BC848W BC849W Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 620 K/W 1) Dimensions - Maße [mm] Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 3 1 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG