BC846A ... BC850C
BC846A ... BC850C
IC
= 100 mA
hFE = 180/290/520
Tjmax = 150°C
SMD General Purpose NPN Transistors
SMD Universal-NPN-Transistoren
VCEO = 30...65 V
Ptot = 250 mW
Version 2021-11-08
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial / industrial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1)
3
1
2
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1)
Features
General Purpose
Three current gain groups
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
RoHS
Pb
EE
WE
SPICE Model & STEP File 1)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Drei Stromverstärkungsklassen
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
EL
V
SOT-23
TO-236
1
Mechanische Daten 1)
Mechanical Data )
Taped and reeled
3000 / 7“
Weight approx.
Marking Code
See below | Siehe unten
0.01 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
HS-Code 85412100
Type = Code
BC846A/-Q/-AQ = 1A
BC846B/-Q/-AQ = 1B
BC846C/-AQ = 1C
Gegurtet auf Rolle
Complementary PNP transistors
Komplementäre PNP-Transistoren
BC847A/-Q/-AQ = 1E
BC847B/-Q/-AQ = 1F
BC847C/-Q/-AQ = 1G
BC848A/-AQ = 1E
BC848B/-AQ = 1F
BC848C/-AQ = 1G
BC850A/-AQ = 1E
BC850B/-AQ = 1F
BC850C/-AQ = 1G
BC849A/-AQ = 1E
BC849B/-AQ = 1F
BC849C/-AQ = 1G
BC856 ... BC860
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
BC846
BC847
BC850
BC848
BC849
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung
B open
VCEO
65 V
45 V
45 V
30 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
80 V
50 V
50 V
30 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
Power dissipation – Verlustleistung
6V
5V
3
Ptot
250 mW )
IC
100 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
ICM
200 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Collector current – Kollektorstrom
1
2
3
DC
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BC846A ... BC850C
Characteristics
Kennwerte
Tj = 25°C
Min.
Typ.
Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
VCE = 5 V, IC = 10 µA
Group A
Group B
Group C
hFE
–
–
–
90
150
270
–
–
–
VCE = 5 V, IC = 2 mA
Group A
Group B
Group C
hFE
110
200
420
180
290
520
220
450
800
VCEsat
–
–
90 mV
200 mV
250 mV
600 mV
VBEsat
–
–
700 mV
900 mV
–
–
VBE
580 mV
–
660 mV
–
700 mV
720 mV
ICBO
–
–
–
–
15 nA
5 µA
IEBO
–
–
100 nA
fT
–
300 MHz
–
CCBO
–
3.5 pF
6 pF
CEBO
–
9 pF
–
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 1)
IC = 10 mA, IB = 0.5 mA
IC = 100 mA, IB = 5 mA
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2)
IC = 10 mA, IB = 0.5 mA
IC = 100 mA, IB = 5 mA
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 2)
VCE = 5 V, IC = 2 mA
VCE = 5 V, IC = 10 mA
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
VCB = 30 V, (E open)
VCE = 30 V, Tj = 125°C, (E open)
Emitter-Base cutoff current
VEB = 5 V, (C open)
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz
Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität
VEB = 0.5 V, IC = ic = 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
< 420 K/W 2)
Dimensions - Maße [mm]
1
2
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
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© Diotec Semiconductor AG
BC846A ... BC850C
800
-1
10
hFE
V CE = 5V
VCE = 5 V
700
600
[A]
Ta = 150°C
T j = 1 2 5 °C
Ta = 125°C
500
400
-2
10
Ta = 75°C
T j = -2 5 °C
Ta = 25°C
300
200
Ta = -25°C
T j = 2 5 °C
100
0
10-3
IC
IC
10
-2
[A]
10
T j = 1 5 0 °C
T j = 7 5 °C
-3
10
-1
0
Typ. DC Current gain vs Collector Current (B)
Typ. Kollektor-Basis Stromverhältnis in
Abhängigkeit des Kolletorstroms (B)
VBE
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2 [V]
Typical Base-Emitter voltage
Typ. Basis-Emitter Spannung
1
IC/IB=20
[V]
Ta = 150°C
10-1
Ta = 125°C
Ta = 75°C
Ta = 25°C
Ta = -25°C
10-2
10-3
IC
10 -2
[A]
10 -1
Typ. collector - emitter saturation Voltage
Typ. Kollektor - Emitter Sättigungsspannnung
1
10
IC/IB=20
[V]
Ta = -25°C
Ta = 25°C
Ta = 75°C
1
Ta = 125°C
10-1
10-3
IC
10 -2
[A]
Ta = 150°C
10 -1
Typical Base-Emitter saturation voltage
Typ. Basis-Emitter Sättigungsspannung
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
3
很抱歉,暂时无法提供与“BC848C”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货
免费人工找货- 国内价格
- 1+9.17648
- 10+3.52059
- 100+0.94412
- 500+0.54442
- 1000+0.37324
- 国内价格
- 1+1.12593
- 10+0.48391
- 100+0.32892
- 500+0.24866
- 1000+0.22099
- 1425+0.07558
- 3928+0.07127