BC858AW

BC856AW ... BC859CW BC856AW ... BC859CW IC = 100 mA hFE = 180/290/520 Tjmax = 150°C SMD General Purpose PNP Transistors SMD Universal-PNP-Transistoren VCEO = 30...65 V Ptot = 200 mW Version 2019-01-11 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) 2±0.1 0.3 1±0.1 ±0.1 2.1 Type Code 2 1.3 Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) RoHS Pb EE WE 1 1.25±0.1 3 Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 1=B EL V SOT-323 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) 2=E 3=C Dimensions - Maße [mm] 3000 / 7“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type Code BC856AW = 3A BC857AW = 3E BC858AW = 3E BC856BW/-AQ = 3B BC857BW = 3F BC858BW = 3F BC859BW = 3F Recommended complementary NPN transistors Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren BC857CW = 3G BC858CW = 3G BC859CW = 3G BC846W ... BC849W Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BC856W/ -AQ BC857W BC858W BC859W Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 65 V 45 V 30 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 80 V 50 V 30 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 5V Ptot 200 mW 3) IC 100 mA ICM 200 mA - IBM 200 mA Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom IEM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom DC Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom Peak Base current – Basis-Spitzenstrom 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC856AW ... BC859CW Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 5 V, IC = 10 µA Group A Group B Group C hFE – – – 140 250 480 – – – VCE = 5 V, IC = 2 mA Group A Group B Group C hFE 125 220 420 180 290 520 250 475 800 VCEsat – – 75 mV 250 mV 300 mV 650 mV VBEsat – – 700 mV 850 mV – – VBE 600 mV – 650 mV – 750 mV 820 mV ICBO – – – – 15 nA 5 µA IEBO – – 100 nA fT – 100 MHz – CCBO – – 4.5 pF CEBO – 10 pF 15 pF F – – – 1 dB 10 dB 4 dB Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 1) IC = 10 mA, IB = 0.5 mA IC = 100 mA, IB = 5 mA Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2) IC = 10 mA, IB = 0.5 mA IC = 100 mA, IB = 5 mA Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 2) VCE = 5 V, IC = 2 mA VCE = 5 V, IC = 10 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 30 V, (E open) VCE = 30 V, Tj = 125°C, (E open) Emitter-Base cutoff current VEB = 5 V, (C open) Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität VEB = 0.5 V, IC = ic = 0, f = 1 MHz Noise figure – Rauschzahl - VCE = 5 V, - IC = 200 µA, RG = 2 kΩ f = 1 kHz, Δf = 200 Hz BC856W ... BC858W BC859W Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 620 K/W 2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG