BCP53-10

BCP53 BCP53 IC = -1 A hFE > 40/63/100 Tjmax = 150°C SMD General Purpose PNP Transistors SMD Universal-PNP-Transistoren VCEO = -80 V Ptot = 2 W Version 2021-08-27 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) 4 1 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) Features High collector current Low saturation voltage Three current gain groups Compliant to RoHS (exemp. w/o ), REACH, Conflict Minerals 1) 2 3 Pb EE WE SPICE Model STEP File 1) RoHS Besonderheiten Hoher Kollektorstrom Niedrige Sättigungsspannung Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS (keine Ausn.), REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 2500 / 13“ Weight approx. Marking Code Type / Typ EL V SOT-223 Gegurtet auf Rolle 0.04 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 HS Code 85412100 Type Typ Recommended complementary NPN transistors Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren BCP53 BCP56 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BCP53/-Q Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open - VCEO 80 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open - VCBO 100 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung C open - VEBO 5V Power dissipation Verlustleistung TS = 120°C Ptot 2 W 3) 1.3 W 4) Collector current – Kollektorstrom DC - IC 1A - ICM 1.5 A - IB 100 mA - IBM 200 mA Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom Base current – Basisstrom DC Peak Base current – Basis-Spitzenstrom Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Measured at collector terminal 4 – Gemessen am Kollektor-Anschluss 4 Mounted on P.C. board with 600 mm2 copper pad at the collector terminal Montage auf Leiterplatte mit 600 mm2 Kupferbelag (Lötpad) am Kollektor-Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BCP53 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. 1 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) - VCE = 2 V, - IC = 5 mA all groups hFE 25 – – - VCE = 2 V, - IC = 150 mA Group -6 Group -10 Group -16 hFE 40 63 100 – – – 100 160 250 - VCE = 2 V, - IC = 500 mA all groups hFE 25 – – - VCEsat – – 0.5 V - VBE – – 1V - ICB0 – – – – 100 nA 10 µA - IEB0 – – 100 nA fT – 120 MHz – Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung ) 1 - IC = 500 mA, - IB = 50 mA 1 Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung ) - IC = 500 mA, - IB = 50 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom - VCB = 30 V, (E open) - VCB = 30 V, Tj = 125°C, (E open) Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom - VEB = 5 V, (C open) Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz - VCE = 5 V, - IC = 10 mA, f = 100 MHz Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 93 K/W 2) Typical thermal resistance junction to soldering point Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Lötverbindung RthS 27 K/W 3) Dimensions - Maße [mm] 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 3 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 600 mm2 copper pad at the collector terminal Montage auf Leiterplatte mit 600 mm2 Kupferbelag (Lötpad) am Kollektor-Anschluss Measured at collector terminal 4 – Gemessen am Kollektor-Anschluss 4 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG