BCP56-10

BCP55 | BCP56 BCP55 | BCP56 IC =1A hFE > 40/63/100 Tjmax = 150°C SMD High Current NPN Transistors SMD Hochstrom-NPN-Transistoren VCEO = 60 | 80 V Ptot = 2 W Version 2021-12-10 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial / industrial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) 4 1 2 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) Features High collector current Low saturation voltage Three current gain groups Compliant to RoHS (w/o exemp.), REACH, Conflict Minerals 1) 3 RoHS Pb EE WE SPICE Model & STEP File 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 2500 / 13“ Weight approx. Marking Type/Typ Besonderheiten Hoher Kollektorstrom Niedrige Sättigungsspannung Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS (ohne Ausn.), REACH, Konfliktmineralien 1) EL V SOT-223 Gegurtet auf Rolle 0.04 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 HS Code 85412100 Type Typ Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren BCP55 BCP56 – BCP53 Maximum ratings 1) Grenzwerte 2) BCP55 BCP56/-AQ Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 60 V 80 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 60 V 100 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung C open VEBO 5V Ptot 2W Ptot 1.3 W 3) IC 1A ICM 1.5 A IB 100 mA Peak Base current – Basis-Spitzenstrom IBM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Power dissipation – Verlustleistung 2 TS ≤ 120°C ) Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom DC Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom Base current – Basisstrom 1 1 2 3 DC Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Measured at collector terminal 4 – Gemessen am Kollektor-Anschluss 4 Mounted on PCB with 600 mm2 copper pad at terminal 4 – Montage auf Leiterplatte mit 600 mm2 Lötpad am Anschluss 4 © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BCP55 | BCP56 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. 1 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) VCE = 2 V IC = 5 mA all groups hFE 25 – – VCE = 2 V IC = 150 mA Group -6 Group -10 Group -16/-AQ hFE 40 63 100 – – – 250 160 250 VCE = 2 V IC = 500 mA all groups hFE 25 – – VCEsat – – 0.5 V VBE – – 1V ICB0 – – 100 nA IEB0 – – 100 nA fT – 100 MHz – Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung ) 1 IC = 500 mA IB = 50 mA 1 Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung ) IC = 500 mA VCE = 2 V Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 30 V E open Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom VEB = 5 V C open Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 10 V IC = 50 mA f = 100 MHz Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 93 K/W 2) Typical thermal resistance junction to soldering point Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Lötverbindung RthS 15 K/W 3) Dimensions – Maße [mm] 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 3 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on PCB with 600 mm2 copper pad at terminal 4 – Montage auf Leiterplatte mit 600 mm2 Lötpad am Anschluss 4 Measured at collector terminal 4 – Gemessen am Kollektor-Anschluss 4 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG