BCX38B

BCX38B BCX38B NPN Version 2006-07-24 Power dissipation Verlustleistung E BC Si-Epitaxial Planar Darlington-Transistors Si-Epitaxial Planar Darlington-Transistoren NPN 625 mW TO-92 (10D3) 0.18 g 16 Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. 18 9 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack 2 x 2.54 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings (TA = 25°C) Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom (dc) Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur B open E open C open VCEO VCBO VEBO Ptot IC ICM Tj TS Grenzwerte (TA = 25°C) BCX38B 60 V 80 V 10 V 625 mW 1) 800 mA 2A -55...+150°C -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Min. DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) 2 Kennwerte (Tj = 25°C) Typ. – – – – – – Max. – – 1.25 V 1.8 V 100 nA 100 nA IC = 100 mA, VCE = 5 V IC = 500 mA, VCE = 5 V IC = 800 mA, IB = 8 mA Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung 2) IC = 800 mA, VCE = 5 V Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 60 V, (E open) Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom VEB = 8 V, (C open) hFE hFE VCEsat VBE ICBO IEB0 2000 4000 – – – – Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 2) 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BCX38B Characteristics (Tj = 25°C) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA Kennwerte (Tj = 25°C) < 200 K/W 1) Pinning – Anschlußbelegung T 1 T 2 E B C T1 T2 Si-Epitaxial Planar Darlington-Transistors Si-Epitaxial Planar Darlington-Transistoren E B C 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2