BR100-03

BR100-03 ... BR100-04 BR100-03 ... BR100-04 Bidirectional Si-Trigger-Diodes (DIAC) Bidirektionale Si-Triggerdioden (DIAC) Version 2006-04-27 Breakover voltage Durchbruchspannung Ø 2.6-0.1 28 ... 45 V ±2A DO-41 DO-204AL 0.4 g Peak pulse current Max. Triggerimpuls Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack 62.5±0.5 Ø 0.8±0.05 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Power dissipation Verlustleistung Peak pulse current (120 Hz pulse repetition rate) Max. Triggerstrom (120 Hz Puls-Wiederholrate) Operating Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TA = 50°C tp ≤ 20 µs Ptot IPM Tj TS 5.1-0.1 Type Grenzwerte 150 mW 1) ± 2 A 1) -50...+100°C -50...+175°C Characteristics Breakover voltage Durchbruchspannung Breakover current – Durchbruchstrom Asymmetry of breakover voltage Unsymmetrie der Durchbruchspannung Foldback voltage – Spannungs-Rücksprung ΔI = IBO to/auf IF = 10 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht dV/dt = 10 V/µs BR100-03 BR100-031 BR100-04 V = 98% VBO |V(BO)F – V(BO)R| dV/dt = 10 V/µs VBO VBO VBO IBO ΔVBO ΔVF/R RthA RthL Kennwerte 28 ... 36 V 30 ... 34 V 35 ... 45 V < 50 µA < 3.8 V >5V < 45 K/W 1) < 15 K/W 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BR100-03 ... BR100-04 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG