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BY133 ... BY135 BY133 ... BY135 Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2011-01-10 Nominal current Nennstrom Ø 2.6 -0.1 1A 150...1300 V DO-41 DO-204AL 0.4 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack 62.5 -2.5 +0.5 Type Ø 0.77±0.07 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ BY133 BY134 BY135 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1300 600 150 TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 5.1-0.1 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1) 1600 800 200 1A 10 A 2) 50/55 A 12.5 A2s -50...+175°C -50...+175°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BY133 ... BY135 Characteristics Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss Tj = 25°C IF = 1 A VF IR IR RthA RthT Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C VR = VRRM Kennwerte < 1.3 V < 5 µA < 50 µA < 45 K/W 1) < 15 K/W 120 [%] 100 10 2 [A] 10 Tj = 125°C 80 1 Tj = 25°C 60 40 10-1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) IF 10-2 0.4 50a-(1a-1.3v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 102 [A] 10 îF 1 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2