BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000
BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000
Si-Rectifiers – Si-Gleichrichter Version 2005-09-20 Nominal Current Nennstrom
Ø 4.5±0.1
3A 200...2000 V ~ DO-201 0.8 g
Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca.
±0.5
Type
62.5
7.5
±0.1
Ø 1.2±0.05
Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings Type Typ BY251 BY252 BY253 BY254 BY255 BY1600 BY1800 BY2000 higher voltages see BY4...BY16 4000...16000 TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 200 400 600 800 1300 1600 1800 2000
Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 200 400 600 800 1300 1600 1800 2000 höhere Spannungen siehe 4000...16000 3 A 1) 20 A 1) 100/110 A 50 A2s -50...+150°C -50...+175°C
Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000 Characteristics Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht Tj = 25°C Tj = 25°C IF = 3 A VR = VRRM VF IR RthA RthL Kennwerte < 1.1 V < 20 µA < 25 K/W 1) < 10 K/W
120 [%] 100
102 [A] 10
Tj = 125°C
80
Tj = 25°C
60
1
40 10-1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] IF 10-2
100a-(3a-1.1v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
2
[A]
10
îF
1
1
10
10
2
[n]
10
3
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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- 1+4.956201+0.61480
- 10+3.8950010+0.48320
- 100+2.33230100+0.28930
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- 国内价格 香港价格
- 3+2.341253+0.29041
- 25+1.9586325+0.24295
- 100+1.75822100+0.21809
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- 1700+1.402931700+0.17402
- 3400+1.302723400+0.16159