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BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000 BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000 Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2011-03-04 Nominal Current Nennstrom Ø 4.5+0.1 -0.3 3A 200...2000 V ~ DO-201 0.8 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. ±0.5 Type 62.5 7.5±0.1 Ø 1.2±0.05 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ BY251 BY252 BY253 BY254 BY255 BY1600 BY1800 BY2000 higher voltages see BY4...BY16 4000...16000 TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 200 400 600 800 1300 1600 1800 2000 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 200 400 600 800 1300 1600 1800 2000 höhere Spannungen siehe 4000...16000 3 A 1) 20 A 1) 100/110 A 50 A2s -50...+150°C -50...+175°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000 Characteristics Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht Tj = 25°C Tj = 25°C IF = 3 A VR = VRRM VF IR RthA RthL Kennwerte < 1.1 V < 20 µA < 25 K/W 1) < 10 K/W 120 [%] 100 10 2 [A] 10 Tj = 125°C 80 Tj = 25°C 60 1 40 10-1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] IF 10 -2 100a-(3a-1.1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 10 2 [A] 10 îF 1 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2