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BY 396 … BY 399, RGP 30K, RGP 30M Fast Silicon Rectifiers Schnelle Silizium Gleichrichter Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Dimensions / Maße in mm 3A 100…1000 V ~ DO-201 1g Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack see page 16 siehe Seite 16 Maximum ratings Type Typ BY 396 BY 397 BY 398 BY 399 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 100 200 400 800 1000 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 100 200 400 800 1000 = RGP 30K RGP 30M Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TA = 50/C f >15 Hz TA = 25/C TA = 25/C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 3 A 1) 20 A 1) 100 A 50 A2s – 50…+150/C – 50…+175/C 1 ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 116 01.10.2002 BY 396 … BY 399, RGP 30K, RGP 30M Characteristics Forward voltage – Durchlaßspannung Leakage current – Sperrstrom Forward recovery time – Durchlaßverzug Reverse recovery time Sperrverzugszeit Tj = 25/C Tj = 25/C IF = 3 A VR = VRRM IF = 100 mA VF IR tfr trr RthA Kennwerte < 1.2 V < 10 :A < 1.0 :s < 500 ns < 25 K/W 1) IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 01.10.2002 117