BY396_10

BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M Fast Silicon Rectifier Diodes – Schnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2010-03-30 Nominal current Nennstrom Ø 4.5+0.1 -0.3 3A 100...1000 V ~ DO-201 1g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack ±0.5 Type 62.5 Ø 1.2±0.05 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ BY396 BY397 BY398 BY399 = RGP30K RGP30M Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 100 200 400 800 1000 TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 7.5±0.1 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 100 200 400 800 1000 3 A 1) 20 A 1) 100/110 A 50 A2s -50...+150°C -50...+175°C 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M Characteristics Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Forward recovery time Durchlassverzugszeit Reverse recovery time Sperrverzugszeit Tj = 25°C Tj = 25°C IF = 3 A VR = VRRM IF = 100 mA IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A VF IR tfr trr RthA RthL Kennwerte < 1.2 V < 10 µA < 1.0 µs < 500 ns < 25 K/W 1) < 10 K/W Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht 120 [%] 100 102 [A] 10 Tj = 125°C 80 Tj = 25°C 60 1 40 10-1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 IF 10 -2 100a-(3a-1.2v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2