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BY4_11

BY4_11

  • 厂商:

    DIOTEC(德欧泰克)

  • 封装:

  • 描述:

    BY4_11 - High Voltage Silicon Rectifier Diodes - Diotec Semiconductor

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  • 价格&库存
BY4_11 数据手册
BY4 ... BY16 BY4 ... BY16 High Voltage Silicon Rectifier Diodes Silizium-Hochspannungs-Gleichrichterdioden Version 2011-10-14 Nominal current Nennstrom 6.3 1 A ... 0.3 A 4000...16000 V Ø 6.3 x 21 [mm] 1.9 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse 65±0. 5 21 Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Ø 1.2±0.05 Standard packaging bulk Standard Lieferform ungegurtet Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ BY4 BY6 BY8 BY12 BY16 Grenz- und Kennwerte Forward volt. Durchlass-Spg. VF [V] 2) < 4.0 < 6.0 < 8.0 < 10.0 < 15.0 Rep. peak reverse volt. Surge peak reverse volt. Max. forward current Period. Spitzensperrspg. Stoßspitzensperrspg. Dauergrenzstrom VRRM [V] VRSM [V] IFAV [A] 1) 4000 6000 8000 12000 16000 4000 6000 8000 12000 16000 1.0 1.0 0.5 0.5 0.3 Leakage Current Sperrstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Tj = 25°C Tj = 100°C TA = 25°C TA = 25°C VR = VRRM VR = VRRM IFSM i2t < 1 µA < 25 µA 100 A 50 A2s -50...+150°C -50...+150°C < 25 K/W 1) Tj TS RthA 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden At / Bei IFAV,Tj = 25°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BY4 ... BY16 120 [%] 100 10 [A] 1 BY4 BY6 BY8 BY12 BY16 80 60 40 10 -1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 IF 10-2 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 102 [A] 10 îF 1 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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