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创作活动
BY8

BY8

  • 厂商:

    DIOTEC(德欧泰克)

  • 封装:

  • 描述:

    BY8 - High Voltage Si-Rectifiers - Diotec Semiconductor

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BY8 数据手册
BY4 ... BY16 BY4 ... BY16 High Voltage Si-Rectifiers Si-Hochspannungs-Gleichrichter Version 2006-09-07 Nominal current Nennstrom 6.3 1 A ... 0.3 A 4000...16000 V Ø 6.3 x 21 [mm] 1.9 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse 65±0.5 21 Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Ø 1.2 ±0.05 Standard packaging bulk Standard Lieferform ungegurtet Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ BY4 BY6 BY8 BY12 BY16 Grenz- und Kennwerte Forward volt. Durchlass-Spg. VF [V] 2) < 4.0 < 6.0 < 8.0 < 10.0 < 15.0 Rep. peak reverse volt. Surge peak reverse volt. Max. forward current Period. Spitzensperrspg. Stoßspitzensperrspg. Dauergrenzstrom VRRM [V] VRSM [V] IFAV [A] 1) 4000 6000 8000 12000 16000 4000 6000 8000 12000 16000 1.0 1.0 0.5 0.5 0.3 Leakage Current Sperrstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Tj = 25°C Tj = 100°C TA = 25°C TA = 25°C VR = VRRM VR = VRRM IFSM i2t < 1 µA < 25 µA 100 A 50 A2s -50...+150°C -50...+150°C < 25 K/W 1) Tj TS RthA 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden At / Bei IFAV,Tj = 25°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1

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