BY880-100

BY880-50 ... BY880-1000 BY880-50 ... BY880-1000 Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2010-08-09 Nominal current Nennstrom Ø 5.4 ±0.1 8A 50...1000 V Ø 5.4 x 7.5 [mm] 1.0 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack 62.5 ±0.5 Ø 1.2 ±0.05 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ BY880-50 BY880-100 BY880-200 BY880-400 BY880-600 BY880-800 BY880-1000 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj Tj TS 7.5 ±0.1 Type Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 8 A 1) 80 A 1) 400/450 A 800 A2s -50...+175°C +200°C -50...+175°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing,t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BY880-50 ... BY880-1000 Characteristics Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht Tj = 25°C Tj = 25°C IF = 8 A VR = VRRM VF IR RthA RthL 2) Kennwerte < 1.1 V < 20 µA < 20 K/W 1) < 4 K/W 120 [%] 100 10 3 [A] 10 2 80 Tj = 125°C 60 10 40 1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Tj = 25°C IF 10-1 300a-(5a-1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 10 3 [A] 10 2 10 îF 1 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden In some standards, measurement of “case temperature” TC is required. For that, measure lead temperature TL and set TC = TL and RthC = RthL In einigen Normen wird die Messung der “Gehäusetemperatur” TC verlangt. In diesem Fall ist die Anschlussdrahttemperatur TL zu messen und folgende Ersetzung vorzunehmen: TC = TL and RthC = RthL http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2