BYG10J

BYG10D ... BYG10Y BYG10D ... BYG10Y IFAV = 1.5 A VF < 1.15 V trr ~ 1500 ns Standard Avalanche SMD Rectifier Diodes Standard Avalanche SMD-Gleichrichterdioden VRRM = 200...1600 V IFSM = 27/30 A ERSM = 10/20 mJ Version 2021-07-30 Typical Applications 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies, Polarity Protection Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) Typische Anwendungen 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen, Verpolschutz Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) Features Controlled avalanche characteristic High average forward current Compliant to RoHS (exemp. 7a), REACH, Conflict Minerals 1) RoHS EE WE Pb EL V SMA ~ DO-214AC Besonderheiten Controlled Avalanche Charakteristik Hoher Dauergrenzstrom Konform zu RoHS (Ausn. 7a), REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) SPICE Model & STEP File 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 7500 / 13“ Weight approx. Marking Type / Typ Gegurtet auf Rolle 0.07 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 HS Code 85411000 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte2) DC blocking voltage Sperrgleichspannung VDC [V] 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Reverse avalanche breakdown voltage Sperrspannung im Durchbruch VRSM [V] 4) BYG10D 200 > 250 BYG10G 400 > 450 600 > 650 800 > 850 1000 > 1050 1600 > 1650 BYG10J/-AQ 480 BYG10K BYG10M/-AQ 800 BYG10Y Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 1.5 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TT = 100°C IFRM 5A Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 27 A 30 A t < 10 ms i2t 3.6 A2s BYG10D...J BYG10K...Y ERSM 20 mJ 10 mJ Rating for fusing – Grenzlastintegral Non-repetitive peak reverse avalanche energy Einmalige Avalanche-Energie in Sperr-Richtung 4 ) Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Defined for -AQ parts only – Nur definiert für -AQ Bauteile IRSM = 1 A, inductive load switch-off – IRSM = 1 A, Abschalten induktiver Last © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BYG10D ... BYG10Y Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A IF = 1.5 A VF < 1.1 V < 1.15 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM IR < 5 µA < 50 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns Typ. thermal resistance junction-ambient − Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung Typ. thermal resistance junction-terminal − Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss 100 K/W 1) 30 K/W RthA RthT Dimensions – Maße [mm] 101 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10 -1 20 IF IFAV 0 10 0 TT 100 50 150 [°C] 0.4 10 2 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 25 [pF] [µA] 10 30a-(1a-1.1v) -2 20 T j = 1 2 5 °C 1 15 T j = 1 0 0 °C 1 10 10-1 5 T j = 2 5 °C IR Cj -2 10 0 VRRM 40 60 80 100 [%] Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 0 VR [V] Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG