BYG20G

BYG20D ... BYG20J BYG20D ... BYG20J Ultrafast Avalanche SMD Rectifier Diodes Ultrafast Avalanche SMD-Gleichrichterdioden IFAV = 1.5 A VF < 1.4 V trr < 75 ns VRRM = 200...600 V IFSM = 27/30 A ERSM = 20 mJ Version 2020-09-04 Typical Applications Rectification of higher frequencies High speed switching Bootstrap and Snubber diodes Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) 2.2± 0.2 2.1± 0.2 5± 0.2 ± 0.3 + 0.1 1.5±0.1 0.15 Type Typ Mechanische Daten 1) 7500 / 13“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Besonderheiten Controlled Avalanche Charakteristik Hoher Dauergrenzstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Taped and reeled +0.30 4.5 _0.55 RoHS Pb EE WE 2.7± 0.2 1.1 Features Controlled avalanche characteristic High average forward current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) EL V SMA ~ DO-214AC Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen Schnelles Schalten Bootstrap- und Beschaltungsdioden Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) Gegurtet auf Rolle 0.07 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Type Typ DC blocking voltage Sperrgleichspannung VDC [V] 3) Grenzwerte2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Reverse avalanche breakdown voltage Sperrspannung im Durchbruch VRSM [V] 4) BYG20D 200 > 250 BYG20G 400 > 450 BYG20J 600 > 650 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 1.5 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TT = 100°C IFRM 5A Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 27 A 30 A t < 10 ms i2t 3.6 A2s Rating for fusing Grenzlastintegral Non-repetitive peak reverse avalanche energy Einmalige Avalanche-Energie in Sperr-Richtung ERSM Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS 1 2 3 4 20 mJ 4) -50...+150°C -50...+150°C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Defined for -AQ parts only – Nur definiert für -AQ Bauteile IRSM = 1 A, inductive load switch-off – IRSM = 1 A, Abschalten induktiver Last © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BYG20D ... BYG20J Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A IF = 1.5 A VF < 1.3 V < 1.4 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 1 µA < 50 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr < 75 ns Typ. thermal resistance junction-ambient − Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung Typ. thermal resistance junction-terminal − Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss RthA RthT 100 K/W 1) 30 K/W 10 2 120 [%] [A] 100 10 T j = 1 2 5 °C 80 T j = 2 5 °C 60 1 40 10-1 20 IF IFAV 0 30a-(1.5a-1.4v) 0 TT 100 50 150 -2 10 0.4 [°C] 10 2 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 25 [pF] [µA] 10 VF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 20 T j = 1 2 5 °C 1 15 T j = 1 0 0 °C 1 10 10-1 5 T j = 2 5 °C IR Cj -2 10 0 VRRM 40 60 80 0 100 [%] VR Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung [V] Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG