BYW27-1000

BYW27-50 ... BYW27-1000 BYW27-50 ... BYW27-1000 Si-Rectifiers – Si-Gleichrichter Version 2005-08-26 Nominal current Nennstrom Ø 2.6 -0.1 1A 50...1000 V DO-41 DO-204AL 0.4 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. ±0.5 Type 62.5 5.1 -0.1 Ø 0.8±0.05 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ BYW27-50 BYW27-100 BYW27-200 BYW27-400 BYW27-600 BYW27-800 BYW27-1000 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 TA = 75°C TA = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 1 A 1) 0.8 A 1) 10 A 1) 50/55 A 12.5 A2s -50...+175°C -50...+175°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BYW27-50 ... BYW27-1000 Characteristics Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss Tj = 25°C Tj = 25°C Tj = 100°C IF = 1 A VR = VRRM VR = VRRM VF IR IR RthA RthL Kennwerte < 1.3 V < 0.2 µA < 5 µA < 45 K/W 1) < 15 K/W 120 [%] 100 102 [A] 10 Tj = 125°C 80 1 Tj = 25°C 60 40 10-1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) IF 10-2 0.4 50a-(1a-1.3v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 10 2 [A] 10 îF 1 1 10 10 2 [n] 10 3 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2