BYW27-50 ... BYW27-1000
BYW27-50 ... BYW27-1000
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2009-10-16 Nominal current Nennstrom
Ø 2.6
-0.1
1A 50...1000 V DO-41 DO-204AL 0.4 g
Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
62.5 -2.5
+0.5
Type
Ø 0.77±0.07
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings Type Typ BYW27-50 BYW27-100 BYW27-200 BYW27-400 BYW27-600 BYW27-800 BYW27-1000 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 TA = 75°C TA = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS
5.1-0.1
Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 1 A 1) 0.8 A 1) 10 A 1) 50/55 A 12.5 A2s -50...+175°C -50...+175°C
Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
BYW27-50 ... BYW27-1000 Characteristics Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss Tj = 25°C Tj = 25°C Tj = 100°C IF = 1 A VR = VRRM VR = VRRM VF IR IR RthA RthL Kennwerte < 1.3 V < 0.2 µA < 5 µA < 45 K/W 1) < 15 K/W
120 [%] 100
10
2
[A] 10
Tj = 125°C
80 1
Tj = 25°C
60
40 10-1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
IF 10-2 0.4
50a-(1a-1.3v)
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte)
102 [A]
10
îF
1
1
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
2
很抱歉,暂时无法提供与“BYW27-50_09”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货
免费人工找货