BYW52P ... BYW56P
BYW52P ... BYW56P
Standard Controlled Avalanche Rectifiers Standard-Gleichrichter mit kontrolliertem Durchbruchsverhalten Version 2009-06-16 Nominal current Nennstrom
Ø 3±0.05
2A 200...1000 V DO-15 DO-204AC 0.4 g
Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
62.5±0.5
Type
Ø 0.8±0.05
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics Type Typ BYW52P BYW53P BYW54P BYW55P BYW56P Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Non-repetitive peak reverse avalanche energy Einmalige Impulsenergie in Sperr-Richtung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 200 400 600 800 1000 TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IRSM = 1 mA TA = 25°C
6.3±0.1
Grenz- und Kennwerte Min. breakdown voltage Min. Abbruchspannung VBR [V] 1) > 250 > 450 > 650 > 900 > 1100 IFAV IFRM IFSM i2t ERSM Tj TS 2 A 2) 10 A 2) 50/55 A 12.5 A2s 20 mJ -50...+150°C -50...+175°C
1 2
IRSM = 1 mA Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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BYW52P ... BYW56P Characteristics Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht Tj = 25°C Tj = 25°C IF = 2 A VR = VRRM VF IR RthA RthL Kennwerte < 1.1 V < 3 µA < 45 K/W 1) < 15 K/W
120 [%] 100
10 [A]
2
Tj = 125°C
10 80
Tj = 25°C
60
1
40 10-1 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] IF 10
-2
50a-(2a-1.1v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
2
[A]
10
îF
1
1
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
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Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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