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BYZ50A22 ... BYZ50A47, BYZ50K22 ... BYZ50K47 BYZ50A22 ... BYZ50A47, BYZ50K22 ... BYZ50K47 Silicon-Protectifiers® with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2009-05-04 Ø 12.75 Ø 11±0.1 Nominal Current Nennstrom Nominal breakdown voltage Nominale Abbruchspannung Rändel 0.8 knurl 0.8 50 A 22 ... 47 V 28.5 min 1.3 Metal press-fit case with plastic cover Metall-Einpressgehäuse mit Plastik-Abdeckung Weight approx. Gewicht ca. Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton 10 g Ø 13±01 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type / Typ Wire to / Draht an Anode BYZ50A22 BYZ50A27 BYZ50A33 BYZ50A39 BYZ50A47 Cathode BYZ50K22 BYZ50K27 BYZ50K33 BYZ50K39 BYZ50K47 Breakdown voltage Abbruchspannung IT = 100 mA VBRmin [V] 19.8 24.3 29.7 35.1 42.3 VBRmax [V] 24.2 29.7 36.3 42.9 51.7 Reverse voltage Sperrspannung IR = 5 µA VR [V] > 17.8 > 21.8 > 26.8 > 31.6 > 38.1 TC = 150°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS Tjmax 5 ±0.2 10.7 ±0.2 Grenzwerte Max. clamping voltage Max. Begrenzerspanng. at / bei Ipp, tp = 1 ms VC [V] 31.9 39.1 47.7 56.4 67.8 Ipp [A] 235 192 157 133 111 50 A 80 A 1) 400/450 A 800 A2s -50...+215°C -50...+215°C +280°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Max. junction temperature in case of “Load-Dump“ Max. Sperrschichttemperatur bei “Load-Dump“ 1 Max. case temperature TC = 150°C – Max. Gehäusetemperatur TC = 150°C http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 BYZ50A22 ... BYZ50A47, BYZ50K22 ... BYZ50K47 Characteristics Forward Voltage – Durchlass-Spannung Thermal Resistance Junction – Case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Maximum pressing force Maximaler Einpressdruck Tj = 25°C IF = 50 A VF RthC Fpmax Kennwerte < 1.1 V < 0.6 K/W 7 kN 120 [%] 100 103 [A] 10 2 Tj = 125°C 80 10 Tj = 25°C 60 40 1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 200 [°C] IF 10-1 Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. 400a-(50a-1,1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 10 3 [A] 10 2 îF 10 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 2