BZTW52C5V6

BZTW52C2V4 ... BZTW52C75 BZTW52C2V4 ... BZTW52C75 Ptot = 350 mW VZ = 2.4 V ... 75 V Tjmax = 150°C SMD Planar Zener Diodes SMD Planar Zener-Dioden Version 2019-07-26 Typical Applications Voltage stabilization and regulators (For overvoltage protection see TVS diodes SMF series) Commercial grade 1) 1.1 2.7 0.1 0.6 3.8 Features Sharp Zener voltage breakdown Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Mechanical Data 1) Taped and reeled Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Type Code: See table – siehe Tabelle RoHS Pb EE WE Type Code 1.6 0.6 Typische Anwendungen Spannungsstabilisierung und -regler (Für Überspannungsschutz siehe TVS-Diodenreihe SMF) Standardausführung 1) EL V SOD-123 Besonderheiten Scharfer Zenerspannungsabbruch Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanische Daten 1) 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard. Zener voltages see table on next page. Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request. Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen Reihe E 24 (~ ±5%). Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite. Andere Toleranzen oder höhere Z-Spannungen auf Anfrage. Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation Verlustleistung Ptot 350 mW 3) Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+125°C Characteristics Kennwerte Typ. thermal resistance junction to ambient Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung 1 2 3 RthA 250 K/W 3) Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Lötpads je Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BZTW52C2V4 ... BZTW52C75 Characteristics (Tj = 25°C unless otherwise specified) Type Typ Code BZTW52C... Z-voltage range 1) Z-Spannungs-Bereich 1) IZ = 5 mA VZ min [V] 2 Dynamic resistance Diff. Widerstand rzj [Ω] at f = 1 kHz Temp. Coefficient of Z-voltage …der Z-Spannung Reverse voltage Sperrspannung VR at/bei IR Z-current 2) Z-Strom 2) TA = 25°C VZ max [V] IZ = 5 mA αVZ [10-4 /°C] VR [V] IR [µA] IZmax [mA] -9...-6 2V4 WX 2.28 2.52 < 100 1 50 139 2V7 W1 2.57 2.84 < 100 -9...-6 1 20 123 3V0 W2 2.85 3.15 < 95 -8...-5 1 10 111 3V3 W3 3.14 3.47 < 95 -8...-5 1 5 101 3V6 W4 3.42 3.78 < 90 -8...-5 1 5 93 3V9 W5 3.71 4.10 < 90 -8...-5 1 3 85 4V3 W6 4.09 4.52 < 90 -6...-3 1 3 77 4V7 W7 4.47 4.94 < 80 -5...+2 2 3 71 5V1 W8 4.85 5.36 < 60 -2...+2 2 2 65 5V6 W9 5.32 5.88 < 40 -5...+5 2 1 60 6V2 WA 5.89 6.51 < 10 -3...+6 4 3 54 6V8 WB 6.40 7.20 < 15 +3...+7 4 2 49 7V5 WC 7.10 7.90 < 15 +3...+7 5 1 44 8V2 WD 7.79 8.61 < 15 +8...+7 5 0.7 41 9V1 WE 8.65 9.60 < 15 +3...+9 6 0.5 36 10 WF 9.50 10.50 < 20 +3...+10 7 0.2 33 11 WG 10.45 11.55 < 20 +3...+11 8 0.1 30 12 WH 11.40 12.60 < 25 +3...+11 8 0.1 28 13 WI 12.35 13.65 < 30 +3...+11 8 0.1 26 15 WJ 14.25 15.75 < 30 +3...+11 10.5 0.1 22 16 WK 15.20 16.80 < 40 +3...+11 11 0.1 21 18 WL 17.10 18.90 < 45 +3...+11 12 0.1 19 20 WM 19.00 21.00 < 55 +3...+11 14 0.1 17 22 WN 20.90 23.10 < 55 +4...+12 15 0.1 15 24 WO 22.80 25.20 < 70 +4...+12 16.5 0.1 49 IZ = 1 2 Kennwerte (Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben) 27 WP 30 WQ 33 WR 36 WS 39 WT 43 2 mA 2 mA 28.35 < 80 +4...+12 18.5 0.1 12 28.50 31.50 < 80 +4...+12 21 0.1 11 31.35 34.65 < 80 +4...+12 23 0.1 10 34.20 37.80 < 90 +4...+12 25 0.1 9 37.00 41.00 < 130 +4...+12 27 0.1 9 WU 40.85 45.15 < 150 +4...+12 30 0.05 8 47 WV 44.60 49.40 < 170 +4...+12 36 0.1 7 51 X1 48.40 53.60 < 180 +4...+12 39 0.1 7 56 X2 53.20 58.80 < 200 +4...+12 43 0.1 6 62 X3 58.90 65.10 < 225 +4...+12 47 0.1 5 68 X4 64.60 71.40 < 240 +4...+12 52 0.1 5 75 X5 71.25 78.80 < 265 +4...+12 56 0.1 4 25.65 Tested with pulses (20 ms) – Gemessen mit Impulsen (20 ms) Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Lötpad je Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG BZTW52C2V4 ... BZTW52C75 120 10 3 [%] [mA] 100 10 2 80 Tj = 100°C 10 60 Tj = 25°C 40 1 20 IF Ptot 10 0 0 TA 100 50 150 -1 0 [°C] VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 3 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.3) 15 5,1 [mA] 5,6 6,2 4,7 10 8,2 6,8 7,5 10 9,1 Tj = 25°C f = 1.0 MHz VR = 1V [pF] VR = 2V 4,3 VR = 1V 3,9 I Z = 5 mA 5 IZ 3,6 3,3 VR = 2V 3,0 2,7 2,4 2,0 0 0 VZ 2 3 4 5 6 7 8 10 [V] Zener Voltage vs. Zener current – Abbruchspannung über Zenerstrom Cj VZ [V] Junction capacitance vs. zener voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.) 10 18 24 30 36 43 51 56 62 68 75 IZmax Tj = 25°C Typical breakdown characteristic – tested with pulses Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3