DB25-16

DB15/25-005 ... DB15/25-16 DB15/25-005 ... DB15/25-16 IFAV = 15/25 A VF < 1.05 V Tjmax = 150°C Three Phase Diode Bridge Rectifier Dreiphasen-Dioden-Brückengleichrichter VRRM = 50...1600 V IFSM = 350/385 A trr ~ 1500 ns Version 2021-03-09 Typical Application 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies Commercial grade 1) ~ _ ~ SPICE Model & STEP File 1) + ~2 ~3 RoHS Mechanical Data 1) Packed in cardboard trays Marking Type/Typ ~1 Besonderheit Sechs Dioden in Brückenschaltung UL-anerkannt, Liste E175067 VRRM bis zu 1600 V Fast-on Anschlüsse 2,3) Isolierter Alu-Boden Konform zu RoHS (Ausn. 7a) Pb REACH, Konfliktmineralien 1) EE WE Features Six diodes in bridge configuration UL recognized, File E175067 VRRM up to 1600 V Fast-on terminals 2,3) Isolated aluminium baseplate Compliant to RoHS (exemp. 7a) REACH, Conflict Minerals 1) + ~ Typische Anwendung 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen Standardausführung 1) EL V DB Weight approx. Mechanische Daten 1) 50 Verpackt in Einlagekartons 21 g Gewicht ca. Casting compound UL 94V-0 Vergussmasse Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen − MSL N/A HS Code 85411000 Maximum ratings 4) Type Typ Grenzwerte 4) Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 5) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 6) DB15/25-01 70 100 DB15/25-02 140 200 DB15/25-04 280 400 DB15/25-06 420 600 DB15/25-08 560 800 DB15/25-10 700 1000 DB15/25-12 800 1200 DB15/25-14 900 1400 DB15/25-16 1000 1600 Max. rectified output current with cooling fin 300 cm2 Dauergrenzstrom am Brückenausgang mit Kühlblech 300 cm2 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom 1 f > 15 Hz TC = 95°C 7) TC = 55°C 7) IFAV 15 A 35 A TC = 55°C 7) IFRM 100 A 4 5 6 7 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches For 6.3mm (1/4“) Fast-on connectors; alternatively, solder assembly possible Für 6.3mm Fast-on Steckverbinder; alternativ Lötmontage möglich Solderable per MIL-STD-202, Method 208, terminal temperature not exceeding 260°C Lötbar gemäß MIL-STD-202, Methode 208, Temperatur der Anschlussdrähte nicht höher als 260°C TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten Valid per diode – Gültig pro Diode “Case” designates metal baseplate – „Gehäuse“ bezeichnet die metallische Bodenplatte 1 http://www.diotec.com/ 2 3 © Diotec Semiconductor AG DB15/25-005 ... DB15/25-16 Maximum ratings 1) Grenzwerte 1) Peak forward surge current (half sine-wave) Stoßstrom in Fluss-Richtung (Sinus-Halbwelle) 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 350 A 385 A Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 630 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Admissible mounting torque Zulässiges Anzugsdrehmoment 10-32 UNF M5 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 12.5 A VF < 1.05 V 2) Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 10 µA 2) DB15/25-005 ... DB15/25-04 DB15/25-06 ... DB15/25-16 Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Typical thermal resistance junction to case (per device) Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil) VISO > 2500 VRMS 3) trr typ. 1500 ns 2) Cj 120 pF 2) RthC 2.4 K/W 3) Dimensions – Maße [mm] 120 103 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 350a-(12.5a-1,05v) -1 10 0 TC 50 100 150 [°C] 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 3 Rated forward current versus case temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.3) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet 1 2 3 2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Valid per diode – Gültig pro Diode “Case” designates metal baseplate – „Gehäuse“ bezeichnet die metallische Bodenplatte http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG