DB35-06

DB35-01 ... DB35-16 DB35-01 ... DB35-16 IFAV = 35 A VF < 1.05 V Tjmax = 150°C Three Phase Diode Bridge Rectifier Dreiphasen-Dioden-Brückengleichrichter VRRM = 1200...1600 V IFSM = 450/500 A trr ~ 1500 ns Version 2021-03-09 + ~ ~ ~ SPICE Model & STEP File 1) + ~2 Features UL recognized, File E175067 VRRM up to 1600 V Fast-on terminals 2,3) Isolated aluminium baseplate Compliant to RoHS (exemp. 7a) REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheit UL-anerkannt, Liste E175067 VRRM bis zu 1600 V Fast-on Anschlüsse 2,3) Isolierter Alu-Boden Konform zu RoHS (Ausn. 7a) REACH, Konfliktmineralien 1) ~3 RoHS Pb Mechanical Data 1) Packed in cardboard trays Weight approx. Marking Type/Typ ~1 Typische Anwendung 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen Standardausführung 1) EE WE _ Typical Application 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies Commercial grade 1) EL V DB Mechanische Daten 1) 50 Verpackt in Einlagekartons 21 g Gewicht ca. Casting compound UL 94V-0 Vergussmasse Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A − HS Code 85411000 Maximum ratings 4) Type Typ Grenzwerte 4) Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 5) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 6) DB35-01 70 100 DB35-02 140 200 DB35-04 280 400 DB35-06 420 600 DB35-08 560 800 DB35-10 700 1000 DB35-12 800 1200 DB35-14 900 1400 DB35-16 1000 1600 Max. rectified output current with cooling fin 300 cm2 Dauergrenzstrom am Brückenausgang mit Kühlblech 300 cm2 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom 1 f > 15 Hz TC = 55°C 1) IFAV 35 A TC = 55°C 7) IFRM 120 A 4 5 6 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches For 6.3mm (1/4“) Fast-on connectors; alternatively, solder assembly possible Für 6.3mm Fast-on Steckverbinder; alternativ Lötmontage möglich Solderable per MIL-STD-202, Method 208, terminal temperature not exceeding 260°C Lötbar gemäß MIL-STD-202, Methode 208, Temperatur der Anschlussdrähte nicht höher als 260°C TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten Valid per diode – Gültig pro Diode “Case” designates metal baseplate – „Gehäuse“ bezeichnet die metallische Bodenplatte 1 http://www.diotec.com/ 2 3 © Diotec Semiconductor AG DB35-01 ... DB35-16 Maximum ratings 1) Grenzwerte 1) Peak forward surge current (half sine-wave) Stoßstrom in Fluss-Richtung (Sinus-Halbwelle) 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 450 A 500 A Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 1000 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Admissible mounting torque Zulässiges Anzugsdrehmoment 10-32 UNF M5 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 17.5 A VF < 1.05 V 2) Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA 2) < 10 µA 2) DB35-01 ... DB35-04 DB35-06 ... DB35-16 Isolation voltage terminals to case – Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A Typ. thermal resistance junction to case (per device) Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil) Dimensions – Maße [mm] VISO > 2500 VRMS 3) trr typ. 1500 ns 2) RthC 1.8 K/W 3) 3 10 [A] 102 îF 10 1 2 10 10 [n] 10 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 120 3 10 3 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10-1 0 TC 50 100 150 [°C] 3 Rated forward current versus case temperature ) 3 Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. ) 450a-(17a-1,05v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet 1 2 3 2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Valid per diode – Gültig pro Diode “Case” designates metal baseplate – „Gehäuse“ bezeichnet die metallische Bodenplatte http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG