DI020N06D1

DI020N06D1 DI020N06D1 ID25°C = 20 A RDS(on) ~ 24 mΩ Tjmax = 175°C N-Channel Power MOSFET N-Kanal Leistungs-MOSFET VDSS = 60 V PD = 45 W EAS = 72 mJ Version 2021-11-04 1 2 3 4 SPICE Model & STEP File 1) Typical Applications DC/DC Converters, Power Supplies DC Drives Synchronous Rectifiers Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) RoHS Pb EE WE Features Advanced Trench Technology Low on state resistance Fast switching times Low gate charge Avalanche rated Compliant to RoHS (exemp. 7a), REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Gleichstrom-Wandler, Stromversorg. Gleichstrom-Antriebe Synchron-Gleichrichter Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) EL V TO-252AA D-PAK Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 2500 / 13“ Weight approx. Marking Type / Typ Besonderheiten Advanced Trench Technologie Niedriger Einschaltwiderstand Schnelle Schaltzeiten Niedrige Gate-Ladung Avalanche-Charakteristik Konform zu RoHS (Ausn. 7a) REACH, Konfliktmineralien 1) Gegurtet auf Rolle 0.32 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL 1 HS Code 85412100 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) DI020N06D1/-Q Drain-Source voltage Drain-Source-Spannung VGS = 0 V (short) VDSS 60 V Gate-Source-voltage continuos – Gate-Source-Spannung dauernd VGSS ± 20 V TC = 25°C 3) Ptot 45W Power dissipation – Verlustleistung Drain current continous – Drainstr. dauernd TC = 25°C ) ID 20 A Drain current continous Drainstrom dauernd TC = 100°C 3) ID 14 A ) IDM 60 A TC = 25°C 3) IS 15 A VGS = 0 V, tp = 10 s ISM 20 A VDD = 30 V, VG = 10 V L = 0.5 mH, RG = 25 Ω EAS 72 mJ Tj TS -55…+175°C -55…+175°C Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom Source current continous Sourcestrom dauernd Peak Source current – Source-Spitzenstrom Single pulse avalanche energy Einzelpuls Avalanche-Energie (Fig. 1) 3 4 Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne Pulse width refer to SOA diagram – Pulsbreite siehe SOA-Diagramm © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 DI020N06D1 Characteristics (static) Kennwerte (statisch) Tj = 25°C Min. Typ. Max. V(BR)DSS 60 V – – IDSS – – 1 µA IGSS – – ± 100 nA VGS(th) 1.2 V 1.6 V 2.5 V RDS(on) – – 24 mΩ 30 mΩ 35 mΩ 40 mΩ Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 250 µA VGS = 0 V (short) Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom VDS = VDSS VGS = 0 V (short) Gate-Body leakage current – Gate-Substrat Leckstrom VGS = ±20 V VDS = 0 V (short) Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VDS ID = 250 µA Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand VGS = 10 V VGS = 4.5 V ID = 20 A ID = 20 A Characteristics (dynamic) Kennwerte (dynamisch) Tj = 25°C Min. Typ. Max. gFS 11 S – – Ciss – 590 pF – Coss – 70 pF – Crss – 64 pF – td(on) tr – 6 ns 6 ns – td(off) tf – 17 ns 3 ns – Qg – 25.3 nC – Qgs – 4.7 nC – Qgd – 6.1 nC – RGi – tbd Ω – Forward Transconductance – Übertragungssteilheit VDS = 5 V ID = 5 A Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 15 V VGS = 0 V f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 15 V VGS = 0 V f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 15 V VGS = 0 V f = 1 MHz Turn-On Delay & Rise Time – Einschaltverzögerung und Anstiegszeit VDD = 30 V ID = 2 A VGS = 10 V RG = 3 Ω (Fig. 1) Turn-Off Delay Time & Fall Time – Ausschaltverzögerung und Abfallzeit VDD = 30 V ID = 2 A VGS = 0 V RG = 3 Ω (Fig. 1) Total Gate Charge – Gesamte Gate-Ladung VDD = 30 V ID = 10 A VGS = 10 V Gate-Source Charge – Gate-Source-Ladung VDD = 30 V ID = 10 A VGS = 10 V Gate-Drain Charge – Gate-Drain-Ladung VDD = 30 V ID = 10 A VGS = 10 V Intrinsic Gate resistance – Innerer Gatewiderstand f = 1 Mhz D open Fig. 1 Test circuit for switching times (R) and avalanche energy (L) td(on) tr (“rise“ und “fall“ beziehen sich auf I D) 2 VDS 90% VGS (“rise“ and “fall“ refer to I D ) Testaufbau für Schaltzeiten (R) und Avalanche-Energie (L) td(off) tf VDS VGS RG R ID VDD L 10% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG DI020N06D1 Characteristics (diode) Kennwerte (Diode) Tj = 25°C Min. Typ. Max. VSD – – 1.2 V trr – 30 ns – Qrr – 50 nC – Forward voltage – Durchlass-Spannung VGS = 0 V IS = 20 A Reverse recovery time – Sperrverzugszeit IS = 20 A, di/dt = -100 A/µs Reverse recovery charge – Sperrverzugsladung IS = 20 A, di/dt = -100 A/µs Characteristics (thermal) Kennwerte (thermisch) Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Min. Typ. Max. – 3.3 K/W 1 ) – RthC Dimensions – Maße [mm] 40 40 VGS = 10V VGS = 4.5V VGS = 4V [A] [A] 30 30 125°C 20 20 ID ID 0 0 0 VDS 1 2 3 4 25°C 10 VGS = 3V 10 [V] 5 VDS = 5V 0 VGS Typical output characteristics 2) Typische Ausgangskennlinien2) 1.0 2.0 [V] 3.0 Typical transfer characteristics Typische Übertragungskennlinien Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3