DI030N03D1

DI030N03D1 DI030N03D1 ID25°C = 30 A RDS(on) ~ 10 mΩ Tjmax = 175°C N-Channel Power MOSFET N-Kanal Leistungs-MOSFET VDSS = 30 V PD = 40 W EAS = 72 mJ Version 2020-01-28 Typical Applications DC/DC Converters Power Supplies DC Drives Synchronous Rectifiers Commercial grade 1) 2.3 ±0.2 6.6 5.3±0.2 0.5 ±0.2 4 3 2 2.3 ±0.1 D (2/4) Mechanical Data 1) Taped and reeled G (1) RoHS Pb EE WE 1.0 2.7 1 ±0.3 1 6.0±0.2 7.0 Type Typ Features Advanced Trench Technology Low on state resistance Fast switching times Low gate charge Avalanche rated Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Dimensions - Maße [mm] Besonderheiten Advanced Trench Technologie Niedriger Einschaltwiderstand Schnelle Schaltzeiten Niedrige Gate-Ladung Avalanche-Charakteristik Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanische Daten 1) 2500 / 13“ Weight approx. S (3) EL V TO-252AA (D-PAK) Typische Anwendungen Gleichstrom-Wandler Stromversorgungen Gleichstrom-Antriebe Synchron-Gleichrichter Standardausführung 1) Gegurtet auf Rolle 0.32 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) DI030N03D1 Drain-Source voltage Drain-Source-Spannung VGS = 0 V (short) Gate-Source-voltage continuos Gate-Source-Spannung dauernd VDSS 30 V VGSS ± 20 V Power dissipation Verlustleistung TC = 25°C 3) Ptot 40 W Drain current continous Drainstrom dauernd TC = 25°C 3) ID 30 A Drain current continous Drainstrom dauernd TC = 100°C 3) ID 21 A ) IDM 80 A TC = 25°C 3) IS 20 A VGS = 0 V, tp = 10 s ISM 30 A VDD = 30 V, VG = 10 V L = 0.5 mH, RG = 25 Ω EAS 72 mJ Tj TS -55…+175°C -55…+175°C Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom Source current continous Sourcestrom dauernd Peak Source current – Source-Spitzenstrom Single pulse avalanche energy Einzelpuls Avalanche-Energie (Fig. 1) 4 Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne Pulse width refer to SOA diagram – Pulsbreite siehe SOA-Diagramm © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 DI030N03D1 Characteristics (static) Kennwerte (statisch) Tj = 25°C Min. Typ. Max. V(BR)DSS 30 V – – IDSS – – 1 µA IGSS – – ± 100 nA VGS(th) 1V 1.5 V 2.2 V RDS(on) – – 10 mΩ 13 mΩ 14 mΩ 25 mΩ Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 250 µA VGS = 0 V (short) Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom VDS = VDSS VGS = 0 V (short) Gate-Body leakage current – Gate-Substrat Leckstrom VGS = ±20 V VDS = 0 V (short) Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VDS ID = 250 µA Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand VGS = 10 V VGS = 4.5 V ID = 20 A ID = 15 A Characteristics (dynamic) Kennwerte (dynamisch) Tj = 25°C Min. Typ. Max. gFS 26 S – – Ciss – 940 pF – Coss – 140 pF – Crss – 100 pF – td(on) tr – 12 ns 5 ns – td(off) tf – 19 ns 6 ns – Qg – 17.5 nC – Qgs – 3 nC – Qgd – 4.1 nC – RGi – tbd Ω – Forward Transconductance – Übertragungssteilheit VDS = 5 V ID = 20 A Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 15 V VGS = 0 V f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 15 V VGS = 0 V f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 15 V VGS = 0 V f = 1 MHz Turn-On Delay & Rise Time – Einschaltverzögerung und Anstiegszeit VDD = 15 V VGS = 10 V RG = 3 Ω R = 0.75 Ω (Fig. 1) Turn-Off Delay Time & Fall Time – Ausschaltverzögerung und Abfallzeit VDD = 15 V VGS = 0 V RG = 3 Ω R = 0.75 Ω (Fig. 1) Total Gate Charge – Gesamte Gate-Ladung VDD = 15 V ID = 20 A VGS = 10 V Gate-Source Charge – Gate-Source-Ladung VDD = 15 V ID = 20 A VGS = 10 V Gate-Drain Charge – Gate-Drain-Ladung VDD = 15 V ID = 20 A VGS = 10 V Intrinsic Gate resistance – Innerer Gatewiderstand f = 1 Mhz D open Fig. 1 Test circuit for switching times (R) and avalanche energy (L) td(on) tr (“rise“ und “fall“ beziehen sich auf I D) 2 VDS 90% VGS (“rise“ and “fall“ refer to I D ) Testaufbau für Schaltzeiten (R) und Avalanche-Energie (L) td(off) tf VDS VGS RG R ID VDD L 10% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG DI030N03D1 Characteristics (diode) Kennwerte (Diode) Tj = 25°C Min. Typ. Max. VSD – – 1.2 V trr – 19 ns – Qrr – 10 nC – Forward voltage – Durchlass-Spannung VGS = 0 V IS = 20 A Reverse recovery time – Sperrverzugszeit IS = 20 A, di/dt = -100 A/µs Reverse recovery charge – Sperrverzugsladung IS = 20 A, di/dt = -100 A/µs Characteristics (thermal) Kennwerte (thermisch) Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC Min. Typ. Max. – 3.8 K/W 1 ) – Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3