DI100N10PQ

DI100N10PQ DI100N10PQ ID25°C = 100 A RDS(on) < 4.5 mΩ Tjmax = 175°C N-Channel Power MOSFET N-Kanal Leistungs-MOSFET VDSS = 100 V PD = 250 W EAS = 270 mJ Version 2021-12-01 SS S G D Typische Anwendungen Gleichstrom-Wandler Stromversorgungen Gleichstrom-Antriebe Elektrowerkzeuge Synchrongleichrichter Standardausführung 1) Features Low profile, space saving package Low on state resistance Fast switching times Low gate charge Avalanche rated Compliant to RoHS (exemp. 7a), REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Flache, platzsparende Bauform Niedriger Einschaltwiderstand Schnelle Schaltzeiten Niedrige Gate-Ladung Avalanche-Charakteristik Konform zu RoHS (Ausn. 7a), REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE SPICE Model & STEP File 1) Typical Applications DC/DC Converters Power Supplies DC Drives Power Tools Synchronous Rectifiers Commercial and industrial grade 1) EL V QFN5x6 ~TDSON-8 / DFN5060 Mechanical Data 1) Taped and reeled Mechanische Daten 1) 5000 / 13“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.1 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen Marking Code 510N040 MSL = 1 HS Code 85412100 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) DI100N10PQ Drain-Source voltage Drain-Source-Spannung VGS = 0 V (short) VDSS 100 V Gate-Source-voltage continuos – Gate-Source-Spannung dauernd VGSS ± 20 V Power dissipation Verlustleistung TC = 25°C 3) Ptot 250 W Drain current continous Drainstrom dauernd TC = 25°C 3) ID 100 A Drain current continous Drainstrom dauernd TC = 100°C 3) ID 95 A ) IDM 400 A TC = 25°C 3) IS 40 A VGS = 0 V, tp = 10 s ISM 57 A VDD = 50 V, VG = 10 V L = 0.5 mH, RG = 25 Ω EAS 270 mJ Tj TS -55…+175°C -55…+175°C Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom Source current continous Sourcestrom dauernd Peak Source current – Source-Spitzenstrom Single pulse avalanche energy Einzelpuls Avalanche-Energie (Fig. 1) 4 Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne Pulse width refer to SOA diagram – Pulsbreite siehe SOA-Diagramm © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 DI100N10PQ Characteristics (static) Kennwerte (statisch) Tj = 25°C Min. Typ. Max. V(BR)DSS 100 V – – IDSS – – 1 µA IGSS – – ± 100 nA VGS(th) 1.2 V – 2.4 V RDS(on) – – 3.5 mΩ 5.5 mΩ 4.5 mΩ 6.6 mΩ Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 250 µA VGS = 0 V (short) Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom VDS = 0.8*VDSS VGS = 0 V (short) Gate-Body leakage current – Gate-Substrat Leckstrom VGS = ±20 V VDS = 0 V (short) Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VDS ID = 250 µA Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand VGS = 10 V VGS = 4.5 V ID = 50 A ID = 20 A Characteristics (dynamic) Kennwerte (dynamisch) Tj = 25°C Min. Typ. Max. gFS 100 S – – Ciss – 3400 pF – Coss – 1100 pF – Crss – 70 pF – td(on) tr – 24 ns 12 ns – td(off) tf – 75 ns 95 ns – Qg – 64 nC – Qgs – 12 nC – Qgd – 13 nC – RGi – 1Ω – Forward Transconductance – Übertragungssteilheit VDS = 30 V ID = 40 A Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 30 V VGS = 0 V f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 30 V VGS = 0 V f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 30 V VGS = 0 V f = 1 MHz Turn-On Delay & Rise Time – Einschaltverzögerung und Anstiegszeit VDD = 30 V ID = 40 A VGS = 10 V RG = 2.5 Ω (Fig. 1) Turn-Off Delay & Fall Time – Ausschaltverzögerung und Abfallzeit VDD = 50 V ID = 40 A VGS = 0 V RG = 2.5 Ω (Fig. 1) Total Gate Charge – Gesamte Gate-Ladung VDD = 80 V ID = 40 A VGS = 10 V Gate-Source Charge – Gate-Source-Ladung VDD = 30 V ID = 30 A VGS = 10 V Gate-Drain Charge – Gate-Drain-Ladung VDD = 30 V ID = 30 A VGS = 10 V Intrinsic Gate resistance – Innerer Gatewiderstand f = 1 Mhz D open Fig. 1 Test circuit for switching times (R) and avalanche energy (L) td(on) tr (“rise“ und “fall“ beziehen sich auf I D) 2 VDS 90% VGS (“rise“ and “fall“ refer to I D ) Testaufbau für Schaltzeiten (R) und Avalanche-Energie (L) td(off) tf VDS VGS RG R ID VDD L 10% http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG DI100N10PQ Characteristics (diode) Kennwerte (Diode) Tj = 25°C Min. Typ. Max. VSD – – 1.3 V trr – 61 ns – Qrr – 1253 nC – Forward voltage – Durchlass-Spannung VGS = 0 V IS = 30 A Reverse recovery time – Sperrverzugszeit IS = 40 A, di/dt = -100 A/µs Reverse recovery charge – Sperrverzugsladung IS = 40 A, di/dt = -100 A/µs Characteristics (thermal) Kennwerte (thermisch) Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC Min. Typ. Max. – 2 K/W 1 ) – Dimensions - Maße [mm] 100 D = 0.5 [%] D = 0.1 10 D = t p/T D = 0.02 Z thA RthA D -> 0 0 tp T 1 0.01 [ms] 0.1 1 10 10 2 [t p] Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical) Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch) 10 3 3 10 [A] T j = 1 2 5 °C 102 T j = 2 5 °C 10 1 IS VGS = 0V Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 10-1 0.4 VSD 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Source-Drain diode characteristics (typical values) Kennlinie der Source-Drain Diode (typische Werte) Measured towards heat sink area (Drain) – Gemessen zur Kühlfläche (Drain) © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3