DI13001

DI13001 DI13001 IC hFE1 Tjmax SMD High Voltage NPN Transistors SMD Hochspannungs-NPN-Transistoren = 250 mA = 10 ... 40 = 150°C VCEO = 700 V Ptot = 800 mW Version 2019-12-17 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 +0.1 -0.05 0.4 1 1.3±0.1 Type Code 2 1.9 Features High collector-emitter voltage Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Mechanische Daten 1) 3000 / 7“ Weight approx. 1=B 2=E 3=C Dimensions - Maße [mm] Besonderheiten Hohe Kollektor-Emitter-Spannung Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Taped and reeled ±0.1 RoHS Pb EE WE 2.4 ±0.2 3 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) EL V SOT-23 (TO-236) Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) DI13001 Collector-Emitter-voltage Kollektor-Emitter-Spannung B-E short VCES 700 V Collector-Emitter-voltage Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 450 V C open VEBO 6V Ptot 800 mW 3) IC 250 mA Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Emitter-Base-voltage Emitter-Basis-Spannung Power dissipation Verlustleistung Collector current Kollektorstrom DC Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 DI13001 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. hFE 10 10 – 40 – ) VCEsat – – 0.6 V ) VBEsat – – 1.5 V ICES – – 10 µA tr ts – 0.8 µs – – 1 µs 3.5 µs DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis IC = 50 mA IC = 1 mA VCE = 5 V ) 1 Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 100 mA IB = 20 mA 1 Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung IC = 100 mA IB = 20 mA 1 Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 700 V B-E short Switching times – Schaltzeiten IC = 100 mA resistive load Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung 156 K/W 2) RthA 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Power dissipation versus ambient temperature ) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG