EGL1B

EGL1A ... EGL1M EGL1A ... EGL1M IFAV = 1.0 A VF1 < 1.25 V Tjmax = 175°C Superfast Recovery SMD Rectifier Diodes SMD-Gleichrichterdioden mit superschnellem Sperrverzug VRRM = 50...1000 V IFSM = 25/30 A trr < 50...75 ns Version 2015-10-21 Typical Applications Rectification of higher frequencies, High speed switching Commercial grade 1) 1.6 0.4 RoHS Pb EE WE Features Package compatible to SOD-87 High power dissipation Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen Schnelles Schalten Standardausführung 1) EL V ~ DO-213AA Plastic MiniMELF Besonderheiten Gehäuse kompatibel zu SOD-87 Hohe Leistungsabgabe Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanische Daten 1) 3.5 Mechanical Data 1) 0.4 Taped and reeled 2500 / 7“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Gegurtet auf Rolle 0.04 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Marking: 1. green ring denotes “cathode” and “superfast switching rectifier family” 2. colored ring denotes “repetitive peak reverse voltage” (see below) Kennzeichnung: 1. grüner Ring kennzeichnet “Kathode” und “superschnelle Gleichrichter” 2. farbiger Ring kennzeichnet “Periodische Spitzensperrspannung” (siehe unten) Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 2. Cathode ring 2. Kathodenring EGL1A 50 50 gray / grau EGL1B 100 100 red / rot EGL1D 200 200 orange / orange EGL1G 400 400 yellow / gelb EGL1J 600 600 green / grün EGL1K 800 800 blue / blau EGL1M 1000 1000 violett / violet Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung EGL1A...EGL1G TA = 75°C IFAV 1 A 3) EGL1J...EGL1M TA = 50°C IFAV 1 A 3) Repetitive peak forward current - Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 8 A 3) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 25/30 A Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 4.5 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 EGL1A ... EGL1M Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit Tj = 25°C Forward voltage Durchlass-Spannung trr [ns] 1) VF [V] EGL1A ... EGL1D < 50 < 1.25 1 EGL1G < 50 < 1.35 1 EGL1J ... EGL1M < 75 < 1.8 1 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität at / bei IF [A] VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 50 µA VR = 4 V Cj 4 pF Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 75 K/W 2) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthT < 40 K/W 10 120 [%] [A] EGL1A...EGL1G 100 EGL1A...D 1 80 EGL1G EGL1J...EGL1M EGL1J...M 60 10-1 40 10-2 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 10-3 0.4 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Tj = 25°C VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG