EM513-AQ

1N4001GP ... 1N4007GP, EM513-AQ 1N4001GP ... 1N4007GP, EM513-AQ IFAV = 1 A VF < 1.1 V Tjmax = 175°C Standard Recovery Rectifier Diodes Gleichrichterdioden mit Standard-Sperrverzug VRRM = 50...1600 V IFSM = 27/30 A trr ~ 1500 ns Version 2021-11-18 Typical Application 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies, Polarity Protection Special grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1) Features Glass passivated junction Compliant to RoHS (exemp. 7a), REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendung 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen, Verpolschutz Sonderausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1) RoHS EE WE Pb EL V ~DO-41 ~DO-204AC Besonderheit Glaspassivierte Sperrschicht Konform zu RoHS (Ausn. 7a), REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) SPICE Model & STEP File 1) Marking Type/Typ Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack 5000 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 0.4 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen HS Code 85411000 MSL N/A Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) DC blocking voltage Sperrgleichspannung VDC [V] 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1N4001GP/-Q/-AQ 40 50 50 1N4002GP/-Q/-AQ 80 100 100 – 200 200 1N4004GP/-AQ 320 400 400 1N4005GP/-AQ 480 600 600 – 800 800 800 1000 1000 1280 1600 2000 1N4003GP 1N4006GP 1N4007GP/-Q/-AQ EM513-AQ Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C TA = 100°C IFAV 1 A 1) 0.8 A 3) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 5.4 A 3) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 27 A 30 A t < 10 ms i2t 3.6 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj -50...+175°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C Half sine-wave Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral 1 2 3 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Defined for -AQ parts only; VDC valid at Tj = 150°C – Nur definiert für -AQ Bauteile; VDC gilt bei Tj = 150°C Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1N4001GP ... 1N4007GP, EM513-AQ Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.1 V Leakage current, instantenous Sperrstrom, Augenblickswert Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM IR < 5 µA < 50 µA VR = 4 V Cj typ. 15 pF trr typ. 1500 ns Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 15 K/W 2) Junction capacitance Sperrschichtkapzität Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A Dimensions - Maße [mm] 120 102 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 60 1 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 10 50a-(1a-1.1v) 10-2 0.4 2 [A] 10 îF 1 1 10 10 2 [n] 10 3 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet 1 2 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden In 3 mm distance from case In 3 mm Abstand vom Gehäuse http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG