ER1M-AQ

ER1A ... ER1M ER1A ... ER1M IFAV = 1 A VF1 < 1.0 V Tjmax = 150°C Superfast Recovery SMD Rectifier Diodes SMD-Gleichrichterdioden mit superschnellem Sperrverzug VRRM = 50...1000 V IFSM = 30 A trr < 35...75 ns Version 2020-09-07 Typical Applications Rectification of higher frequencies, High speed switching Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) ± 0.2 2.2 ± 0.2 2.1 ± 0.2 5 Type Typ Pb Mechanical Data 1) 1.5 ±0.1 2.7 ± 0.2 0.15 RoHS EE WE 1± 0.3 Features VRRM up to 1000 V Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen Schnelles Schalten Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) EL V SMA ~ DO-214AC Mechanische Daten 1) Taped and reeled 7500 / 13“ Weight approx. 4.5± 0.3 Dimensions - Maße [mm] Besonderheiten VRRM bis zu 1000 V Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Gegurtet auf Rolle 0.07 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) DC blocking voltage Sperrgleichspannung VDC [V] 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] ER1A 50 50 ER1B 100 100 200 200 ER1G 400 400 ER1J 600 600 ER1K 800 800 1000 1000 ER1D/-AQ ER1M/-AQ 160 800 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 1A TT = 100°C IFRM 6A IFSM 30 A 33 A i2t 4.5 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave 50 Hz (10 ms) Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms) Rating for fusing Grenzlastintegral t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Defined for -AQ parts only – Nur definiert für -AQ Bauteile © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ER1A ... ER1M Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] ER1A...ER1D/-AQ < 35 < 1.0 1 ER1G < 35 < 1.25 1 ER1J...ER1M/-AQ < 75 < 1.7 1 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität VR = VRRM IR IR < 5 µA < 300 µA VR = 4 V Cj 10 pF Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 70 K/W 2) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT < 30 K/W 10 120 [%] [A] 100 ER1A...D 1 80 ER1G ER1J...M 0.1 60 40 10 20 -2 IF IFAV 0 0 TT 50 100 150 10 -3 0 .2 V F 0 .6 [°C] Tj = 25°C 1 .0 1 .4 1 .8 [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG